[发明专利]电子封装、用于电子装置的散热结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种集成电路(integrated circuit，IC)制造，特别是有关于一种用于电子装置的散热结构及其制造方法。

背景技术

可携式电子产品，例如手机、行动计算机及其它消费性产品需要在厚度薄、重量轻及低成本的限制因素下呈现高效能及功能，因而驱使制造业者必须增加半导体芯片的集成度(integration)。而随着半导体技术的向上发展，集成电路的集成度或是半导体元件(例如，晶体管、二极管、电阻、电容等等)的密度得以不断提升。在高集成度或高密度的集成电路中，因集成电路的功率及操作频率增加，散热(heat dissipation)问题成为限制集成电路中微电子装置效能的因素之一。

传统上解决热产生的方法是包含于电子装置操作期间，提供一散热装置(即，散热片)与IC封装中的IC芯片作热接触。亦即，每一IC芯片的上表面与对应的散热器作热接触。然而，为了每一IC芯片而提供一分离的散热器会增加制造成本，且会增加IC封装装置的整体尺寸，其并不利于部件或装置尺寸持续缩小的趋势。

另一种解决热产生的方法包含在IC芯片或封装基底的上表面形成一类钻碳(diamond like carbon，DLC)薄膜，以作为钝化保护(passivation)层及导热绝缘层。钝化保护层上通常需形成开口以形成由金属构成的重布局线(redistribution line，RDL)/走线(circuit trace)或是接合垫(bondpad)。然而，由于类钻碳薄膜难以加工且与金属附着性不佳，因而降低装置的可靠度及良率。

因此，有必要发展一种新的用于电子装置的散热结构，其能够改善上述问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种用于电子装置的散热结构，包括：一主体，具有一第一表面及相对于第一表面的一第二表面；一含硅绝缘层，设置于主体的第一表面上；一超纳米结晶钻石薄膜，设置于含硅绝缘层上；以及一导电图案层，设置于含硅绝缘层上且被超纳米结晶钻石薄膜包围，其中超纳米结晶钻石薄膜与导电图案层在上视方向彼此不重迭。

本发明实施例提供一种用于电子装置的散热结构的制造方法。提供一主体，其具有一第一表面及相对于第一表面的一第二表面。在主体的第一表面上形成一含硅绝缘层。在含硅绝缘层上分别形成一导电图案层及一超纳米结晶钻石薄膜，其中导电图案层被超纳米结晶钻石薄膜包围，且超纳米结晶钻石薄膜与导电图案层在上视方向彼此不重迭。

附图说明

以下结合附图说明本发明实施例的制作与使用。然而，可轻易了解本发明所提供的实施例仅用于说明以特定方法制作及使用本发明，并非用以局限本发明的范围，其中：

图1至图3是绘示出根据本发明不同实施例的具有用于电子装置的散热结构的电子封装剖面示意图。

图4A至图4J是绘示出根据本发明一实施例的用于电子装置的散热结构的制造方法剖面示意图。

图5A至图5F是绘示出根据本发明另一实施例的用于电子装置的散热结构的制造方法剖面示意图。

图6A至图6J是绘示出根据本发明又一实施例的用于电子装置的散热结构的制造方法剖面示意图。

图7A至图7F是绘示出根据本发明另又另一实施例的用于电子装置的散热结构的制造方法剖面示意图。

具体实施方式

图1是绘示出根据本发明一实施例的具有用于电子装置的散热结构的电子封装剖面示意图。请参照图1，电子封装10包括一散热结构以及设置于散热结构上的电子装置100。在本实施例中，散热结构包括：一主体201、一含硅绝缘层203、一超纳米结晶钻石薄膜(ultrananocrystallinediamond，UNCD)207、第一导电图案层及第二导电图案层214。主体201具有一第一表面201a(例如，上表面)及相对于第一表面201a的一第二表面201b(例如，下表面)。在一实施例中，主体201可为一封装基板或电路板，且可由半导体材料(例如，硅、锗化硅、氮化镓、砷化镓)、陶瓷、或高分子材料所构成。在另一实施例中，主体201可为一半导体芯片，且其内具有至少一半导体元件及电性连接半导体元件的至少一内联线结构。