[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

一第一线路结构；

一第一半导体组件，设于该第一线路结构上；

一第一介电层，定义一第一贯穿部并包覆该第一半导体组件，该第一介电层具有对应该第一贯穿部的一第一贯穿部壁面，该第一贯穿部露出该第一线路结构；

一贯孔导电结构，至少形成于该第一贯穿部壁面上并电性连接于该第一线路结构；

一第二线路结构，覆盖该第一介电层并电性连接于该贯孔导电结构；

一第二半导体组件，设于该第二线路结构上，该第二半导体组件透过该第二线路结构电性连接于贯孔导电结构；

一第二介电层，包覆该第二半导体组件；以及

一强化结构，用以强化该半导体封装件的强度，其中该第二介电层位于该第一线路结构与该强化结构之间。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该贯孔导电结构更形成于该第一介电层的上表面上。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该第二线路结构定义一第二贯穿部并具有对应该第二贯穿部的一第二贯穿部壁面，该第二介电层定义一第三贯穿部并具有对应该第三贯穿部的一第三贯穿部壁面；

其中，该贯孔导电结构更形成于该第二贯穿部壁面及第三贯穿部壁面上。

4.如权利要求3所述的半导体封装件，更包括：

一第三介电层，覆盖该第二介电层；

其中，该强化结构设于该第三介电层上。

5.如权利要求3所述的半导体封装件，更包括：

一图案化线路层，形成于该第一介电层的上表面上，该图案化线路层定义一第四贯穿部并具有对应该第四贯穿部的一第四贯穿部壁面，该贯孔导电结构更形成于该第四贯穿部壁面。

6.如权利要求3所述的半导体封装件，其中该贯孔导电结构包括一贯孔线路结构及一走线层，该走线层连接于该贯孔线路结构，该贯孔线路结构形成于该第一贯穿部壁面、该第二贯穿部壁面及该第三贯穿部壁面上，该走线层形成于该第二介电层的上表面上。

7.如权利要求6所述的半导体封装件，其中该走线层包括一走线及一接垫，该接垫连接于该走线并位于该第二半导体组件的座落区域内。

8.一种半导体封装件的制造方法，包括：

提供一载板；

形成一第一线路结构于该载板上；

设置一第一半导体组件于该第一线路结构上；

形成一第一介电层包覆该第一半导体组件；

形成一贯穿部贯穿该第一介电层，其中，该贯穿部露出该第一线路结构，而该第一介电层具有对应该贯穿部的一第一贯穿部壁面；

形成一贯孔导电结构，该贯孔导电结构至少形成于该第一贯穿部壁面上；

形成一第二线路结构覆盖该第一介电层，其中该第二线路结构电性连接于该贯孔导电结构；

设置一第二半导体组件于该第二线路结构上，其中该第二半导体组件电性连接于该第二线路结构；

形成一第二介电层包覆该第二半导体组件；

邻近该第二介电层设置一强化结构；

分离该载板与该第一线路结构；以及

切割该强化结构、该第二介电层、该第二线路结构、该第一介电层及该第一线路结构。

9.如权利要求8所述的制造方法，其中于形成该第一介电层的该步骤中包括：

设置一固态介电膜于该第一半导体组件上；

设置一金属层于该固态介电膜上；以及

施加压力及热量于该金属层上，使该金属层挤压该固态介电膜，该固态介电膜于受压及受热熔化后包覆该第一半导体组件，以形成该第一介电层。

10.如权利要求9所述的制造方法，更包括：

图案化该金属层。