[发明专利]晶圆级影像感测器构装结构及其制造方法有效
申请号: | 201010287189.9 | 申请日: | 2010-09-16 |
公开(公告)号: | CN102403323A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 杜修文;陈翰星;辛宗宪;陈明辉 | 申请(专利权)人: | 胜开科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 影像 感测器构装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其特征在于其包括下列步骤:
提供一硅晶圆,其具有多个影像感测芯片,每一该影像感测芯片具有一感光区;
提供多个透光板;
分配一该透光板对应设置于一该影像感测芯片的该感光区上方;以及
进行一封装工艺,利用一封装胶材设置于该硅晶圆的一第一表面上,并使该封装胶材包覆该些透光板的四周。
2.根据权利要求1所述的晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其特征在于其中所述的硅晶圆为一硅导孔晶圆,该硅导孔晶圆的一第二表面形成有一再布线层,并在该第二表面形成有多个植球焊垫。
3.根据权利要求1所述的晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其特征在于其中该些透光板是由一透光面板切割而成。
4.根据权利要求1所述的晶圆级影像感测器封装结构的制造方法,其特征在于其中该些透光板是由一透光面板切割而成,并且在切割该透光面板前,先形成多个田埂状框体于该透光面板后,再沿着该些田埂状框体上的一切割线切割该透光面板,以使每一该透光板的四周皆具有一支撑框体,借由该支撑框体粘着于该影像感测芯片,并使该支撑框体围绕该感光区的四周外侧。
5.根据权利要求4所述的晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其特征在于其中该些田埂状框体是借由一网板印刷工艺、一转移成型工艺或一射出成型工艺形成而成。
6.根据权利要求1所述的晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其特征在于其中进行该封装工艺包括下列步骤:
放置具有该些透光板的该硅晶圆于一模具中;
注入该封装胶材于该模具的模穴中,以使该封装胶材包覆该些透光板的四周,但不完全覆盖该些透光板的一第三表面,该封装胶材为一模塑封胶;以及
转移成型该封装胶材后,开模并进行后烘烤工艺以固化该封装胶材。
7.根据权利要求6所述的晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其特征在于其中所述的模具包括一上模具及一下模具,其中该上模具抵制住该些透光板的该第三表面,而该下模具则抵制住该硅晶圆的一第二表面。
8.根据权利要求6所述的晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其特征在于其中所述的模具包括一上模具及一下模具,其中该上模具具有多个凸缘,每一该凸缘皆抵制住一该透光板的该第三表面的中央部分,而该下模具则抵制住该硅晶圆的一第二表面。
9.根据权利要求7或8所述的晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其特征在于其中所述的上模具具有利用真空吸附的一缓冲层以抵制住该些第三表面。
10.根据权利要求1所述的晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其特征在于其中进行该封装工艺包括下列步骤:
设置一拦坝于该第一表面的边缘,并形成一环状结构;以及
涂布该封装胶材于该拦坝内,且使该封装胶材包覆该些透光板的四周,但不覆盖该些透光板的一第三表面。
11.根据权利要求1所述的晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其特征在于在封装该些透光板后进一步包括下列步骤:
在该硅晶圆的一第二表面布植焊球;以及
切割该硅晶圆,以形成多个影像感测器构装结构。
12.一种晶圆级影像感测器构装结构,其特征在于其包括:
一影像感测芯片,其具有:多个感光元件,设置于该影像感测芯片的一第一表面的一感光区上;多个第一导电接点,其设置于该第一表面并电性连接于该些感光元件,且围绕设置于该感光区的外侧;至少一导电通道,穿透该影像感测芯片且其一端电性连接于该些第一导电接点;以及多个植球焊垫,设置于该影像感测芯片的一第二表面,且电性连接于该导电通道;
一透光板,其对应设置于该感光区上方,并与该影像感测芯片间形成有一气室;以及
一封装胶材,其设置于该第一表面上,并包覆该透光板的四周。
13.根据权利要求12所述的晶圆级影像感测器构装结构,其特征在于其中所述的影像感测芯片进一步包括一球栅阵列,是设置于该第二表面,并电性连接于该些植球焊垫以与该导电通道电性连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜开科技股份有限公司,未经胜开科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010287189.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及制造方法
- 下一篇:薄化晶片的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的