[发明专利]晶圆级影像感测器构装结构及其制造方法有效
申请号: | 201010287189.9 | 申请日: | 2010-09-16 |
公开(公告)号: | CN102403323A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 杜修文;陈翰星;辛宗宪;陈明辉 | 申请(专利权)人: | 胜开科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 影像 感测器构装 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种晶圆级影像感测器构装结构及其制造方法,特别是涉及一种应用于可批次制造影像感测器构装结构的晶圆级影像感测器构装结构及其制造方法。
背景技术
近年来随着全球数字影像产品的普及化,加上相机手机、数字相机、数字摄录影机...等各式数字影像产品的热卖,使得数字影像感测器的市场备受看好。
其中,影像感测器依其制作工艺又可分为电荷耦合元件(Charge-coupled Device,CCD)和互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor,CMOS)两类,其中电荷耦合元件虽然技术成熟、影像品质良好,但因其特殊的制作工艺技术却会使得成本提高。反之,互补金属氧化物半导体通过半导体芯片制作工艺使其具有成本低、制作工艺相对容易而又具有轻薄短小的优势,适合用于相机手机等对解析度要求低的产品,故与电荷耦合元件有一定的市场区隔。
传统的影像感测器封装分为COB(Chip On Board)和芯片尺寸级封装(Chip Scale Package,CSP)两种。其中传统的COB封装方式需将影像感测芯片粘于基板上,利用金属导线电性连接基板与影像感测芯片,再通过封装技术封装影像感测芯片,故封装后的影像感测器构装结构尺寸较大且具有一定高度。而传统的芯片尺寸级封装方式则比较适合用于低像素的影像感测芯片,在较高像素的应用领域,因成本比较不具有竞争力,且与镜头模块搭配时因原有的玻璃结构,造成影像感测器模块高度增加,且影像感测品质也较COB封装差。此外,传统芯片尺寸级封装方式结构上会有侧边漏光的问题,故在影像感测器模块组装工艺中必须增加遮光罩或在构装结构侧边涂覆遮光层,用以避免影像感测品质降低或造成眩光(Flare)等问题。
由此可见,上述现有的晶圆级影像感测器构装结构及其制造方法在产品结构、制造方法与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的晶圆级影像感测器构装结构及其制造方法,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的目的在于,克服现有的晶圆级影像感测器构装结构及其制造方法存在的缺陷,而提供一种新的晶圆级影像感测器构装结构及其制造方法,所要解决的技术问题是使其利用硅导孔晶圆作为硅晶圆,相比较于传统芯片尺寸级封装工艺或COB工艺来说,本发明的影像感测器构装结构不需要使用金属焊线及基板,故可缩小影像感测器构装结构的尺寸,并可降低其构装高度,非常适于实用。
本发明的另一目的在于,克服现有的晶圆级影像感测器构装结构及其制造方法存在的缺陷,而提供一种新的晶圆级影像感测器构装结构及其制造方法,所要解决的技术问题是使其可利用不透光的封装胶材封装包覆于透光板的四周,以避免在组装影像感测器模块时产生侧边漏光的问题,并可无需使用遮光罩或再额外涂覆遮光层,从而更加适于实用。
本发明系的再一目的在于,克服现有的晶圆级影像感测器构装结构及其制造方法存在的缺陷,而提供一种新的晶圆级影像感测器构装结构及其制造方法,所要解决的技术问题是使其利用硅导孔晶圆作为硅晶圆,不需使用金属焊线及基板,相比较于传统制作工艺材料更为节省,且可大量制造,以致于成本降低,制造流程减少进而生产效率提高,从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其包括下列步骤:提供一硅晶圆,其具有多个影像感测芯片,每一该影像感测芯片具有一感光区;提供多个透光板;分配一该透光板对应设置于一该影像感测芯片的该感光区上方;以及进行一封装工艺,利用一封装胶材设置于该硅晶圆的一第一表面上,并使该封装胶材包覆该些透光板的四周。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其中所述的硅晶圆为一硅导孔(Through-Silicon Vias,TSV)晶圆,该硅导孔晶圆的一第二表面形成有一再布线层,并在该第二表面形成有多个植球焊垫。
前述的晶圆级影像感测器构装结构的制造方法,其中该些透光板是由一透光面板切割而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的