[发明专利]具有垂直凸出物的浮栅结构

权利要求书

1.一种非易失性存储单元阵列，其包括在衬底表面上布置成串形式的非易失性存储元件，所述串通过隔离元件与相邻串分离，每一非易失性存储元件具有一浮栅，所述浮栅包括第一浮栅部分和第二浮栅部分，其中每个第二浮栅部分都自所述第一浮栅部分的上表面延伸以沿所述串的方向形成倒T形剖面形状。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储单元阵列，其中所述第二浮栅部分在垂直于所述串的剖面为T形，其中所述T形具有延伸跨过所述第一浮栅部分的所述上表面的翼。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储单元阵列，其中所述第二浮栅部分的下部分自第一隔离元件延伸至邻近的第二隔离元件，且所述翼在所述第一隔离元件及所述第二隔离元件上方延伸。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储单元阵列，进一步包括控制栅，所述控制栅在多个所述串中的每一个上与非易失性存储元件相关联，所述控制栅在多个所述串中的每一个上的非易失性存储元件的第二浮栅部分的上表面上方延伸。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储单元阵列，其中所述控制栅在邻近的第二浮栅部分的翼之间延伸。

6.根据权利要求4所述的非易失性存储单元阵列，其中所述控制栅延伸以从上方及四个侧面上密封所述第二浮栅部分。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储单元阵列，进一步包括延伸以从上方及四个侧面上密封所述第二浮栅部分的控制栅。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储单元阵列，其中所述第二浮栅部分自对准于所述第一浮栅部分。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储单元阵列，其中所述第二浮栅部分具有沿所述串的方向小于用于形成所述阵列的光刻工艺的最小特征尺寸的尺寸。