[发明专利]薄化晶片的方法

权利要求书

1.一种薄化晶片的方法，包含：

提供一晶片，具有有源面、背面以及侧面，其中该有源面与该背面相对设置，该侧面设置于该有源面与该背面之间并环绕该晶片的周围；

在该晶片上形成一保护结构，且该保护结构至少完全包覆该侧面；以及

从该背面对该晶片进行一薄化制作工艺。

2.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，其中该保护结构仅完全包覆于该晶片的该侧面。

3.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，其中该保护结构还包覆于该晶片的该有源面。

4.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，其中该保护结构还包覆于该晶片的该背面。

5.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，其中该保护结构包含一保护结构侧面以及一保护结构正面，该保护结构侧面对应于该侧面，该保护结构正面大体上平行且对应于该有源面。

6.如权利要求5所述的薄化晶片的方法，其中该侧面与该有源面具有一第一角度，该保护结构侧面与该保护结构正面具有一第二角度，该第一角度大于该第二角度。

7.如权利要求6所述的薄化晶片的方法，其中该第二角度实质上等于90度。

8.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，其中进行该薄化步骤时，该晶片的该有源面与该侧面之间不具有阶梯状结构。

9.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，还包含：

提供一载具，该载具具有一载具正面、一载具背面以及一载具侧面，其中该载具正面与该载具背面相对设置，该载具侧面设置于该载具正面与该载具背面之间并环绕该载具的周围，且该载具正面与该晶片的该有源面黏合；以及

在形成该保护结构时，同时在该载具侧面上形成该保护结构。

10.如权利要求9所述的薄化晶片的方法，其中该保护结构包含一保护结构侧面以及一保护结构正面，该保护结构侧面对应于该侧面以及该载具侧面，该保护结构正面大体上平行且对应于该背面。

11.如权利要求10所述的薄化晶片的方法，其中该侧面与该背面具有一第三角度，该保护结构侧面与该保护结构正面具有一第四角度，该第三角度大于该第四角度。

12.如权利要求11所述的薄化晶片的方法，其中该第四角度实质上等于90度。

13.如权利要求9所述的薄化晶片的方法，其中该载具为另一晶片。

14.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，其中形成该保护结构的步骤包含于该晶片的该侧面上形成一树脂材料。

15.如权利要求14所述的薄化晶片的方法，其中该树脂材料包含环氧树脂。

16.如权利要求14所述的薄化晶片的方法，还包含于该树脂材料中加入多个颗粒，其中该多个颗粒的硬度大于该树脂材料的硬度。

17.如权利要求16所述的薄化晶片的方法，其中该多个颗粒的材质包含氧化铝、氮化铝、氧化硅或氮化硅。

18.如权利要求14所述的薄化晶片的方法，还包含对该树脂材料进行一固化制作工艺以形成该保护结构。

19.如权利要求18所述的薄化晶片的方法，其中该固化制作工艺包含热固化制作工艺或光固化制作工艺。

20.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，在进行该薄化制作工艺之后，还包含移除该保护结构。