[发明专利]薄化晶片的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄化晶片的方法，特别是涉及一种能减少晶片在薄化过程中产生裂片的方法。

背景技术

近年来各种电子产品多以轻、薄、短、小为目标，厂商为了增加电子产品的积成度(integrity)，莫不致力于研发新的制作工艺技术，例如「晶片薄化」制作工艺。晶片薄化技术的应用范围十分广泛，例如近几年来在光感测器(photo-sensor)中所发产出的背面感光式(back side illuminated，BSI)技术。背光感光式技术是将光线经由像素区的背面搜集，因此不会受到正面电路的遮蔽，可增加像素的有效面积，故可以避免传统正面感光技术中容易产生杂讯的问题。此外，晶片薄化的技术也可应用在封装领域中。经过薄化后的晶片可具有较小的体积，而可以达成较小的封装尺寸。

然而，在现有的薄化晶片制作工艺，仍然有许多问题需要克服，例如破片(chipping)的问题。由于半导体晶片通常都是以硅、硅锗化物及砷化镓为主要材料，因此其伸展能力不佳。当晶片被研磨至300微米以下的厚度时，便容易在薄化的过程中产生晶片破片或断裂的情况。请参考图1，所绘示为现有技术中晶片在薄化制作工艺中产生破片的示意图。如图1所示，当薄化机具102对晶片100进行一薄化制作工艺时，由于晶片100在边缘处具有一厚度较小的斜面(bevel)103，故薄化时晶片100在斜面103处与在中央处所受的应力不同，因此晶片100容易在靠近斜面103的地方产生裂片104。

针对此一问题，现有的解决方式是在晶片100的边缘处先形成一阶梯结构106。请参考图2与图3，所绘示为现有在晶片边缘形成阶梯结构的步骤示意图。如图2所示，为了避免晶片100在边缘处产生破片104，现有在晶片100边缘处会先形成一阶梯结构106。因此，如图3所示，在后续进行薄化制作工艺时，此阶梯结构106可降低受力不均的情况，而避免晶片100产生破片104。现有产生阶梯结构106的方法，有采用切割刀具(grinding wheel)或者是光刻(lithography)两种方式。但使用切割刀具来形成阶梯结构106也有一定程度破片的风险，且需额外的刀具模块。而使用光刻的方式，则需要另外设计光掩模以及额外的蚀刻步骤，都会有成本增加的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄化晶片的方法，可避免薄化步骤中晶片产生破片的情况，且毋需形成阶梯结构。

根据本发明的较佳实施例，本发明提供一种薄化晶片的方法。此方法首先提供一晶片，晶片具有一有源面、一背面以及一侧面，其中有源面与背面相对设置，且侧面设置于有源面与背面之间并环绕该晶片的周围。接着，在晶片上形成一保护结构，且保护结构至少完全包覆侧面。最后，从背面对晶片进行一薄化制作工艺。

本发明是在薄化制作工艺之前，在晶片的侧面上形成保护结构，使得晶片与保护结构形成一厚度均匀的结构，故可避免破片的产生。相较于现有需在晶片上形成阶梯结构，本发明所使用的技术毋需破坏晶片的外型，不仅能降低晶片的破片机率，也能有效降低制作成本。

附图说明

图1为现有技术中晶片在薄化制作工艺中产生破片的示意图；

图2与图3为现有在晶片边缘形成阶梯结构的步骤示意图；

图4至图6为本发明第一实施例的薄化晶片方法的步骤示意图；

图7为本发明另一实施例的薄化晶片方法的示意图；

图8至图10为本发明第二实施例的薄化晶片的方法的步骤示意图。

主要元件符号说明

100       晶片       310，410       保护结构侧面

102       薄化机具   311，411       保护结构正面

103       斜面       313，413       保护结构背面

104       破片       312，412       薄化机具

106       阶梯结构   500            载具

300，400  晶片       502            载具正面

302，402  有源面     504  载具背面

304，404  背面       506  载具侧面

306，406  侧面       508  粘合层

308，408  保护结构

具体实施方式