[发明专利]载置机构、带划片框架的晶片的搬送方法

说明书

技术领域

本发明涉及载置带划片框架的晶片的载置机构、带划片框架的晶片的搬送方法及被用于搬送方法的晶片搬送用程序，更为具体地，涉及一种在载置机构载置带划片框架的晶片并进行晶片的电气特性检查后，能抑制在从载置机构剥离带划片框架的晶片时发生的剥离带电的载置机构、带划片框架的晶片的搬送方法及被用于该方法的晶片搬送用程序。

背景技术

作为在半导体制造工序中制造出的器件的检查方法，例如有将形成了多个器件的晶片提供给检查装置，并以晶片状态直接进行各器件的电气特性检查的方法。这种检查装置例如具有加载器室和探针室，所述加载器室以盒为单位收纳晶片，并搬送晶片以用于检查，所述探针室从加载器室接收晶片，并进行晶片的电气特性检查。

加载器室具有用于搬送晶片的晶片搬送机构和用于使晶片的朝向沿一定方向对齐的预对准机构，晶片搬送机构将晶片向探针室搬送途中，通过预对准机构将晶片对齐到预定朝向后，将晶片交接给探针室。探针室具有能移动地载置晶片的载置台、配置于载置台上方的探针卡和对晶片的电极焊盘和探针卡的探针的位置进行定位的对准机构，载置台和对准机构协作对载置台上的晶片和探针卡的位置进行定位后，使载置台移动，使晶片和探针卡电接触，进行晶片的电气特性检查后，将晶片返送到加载器室。

近年来，伴随器件的微型化及薄型化，有时将带划片框架的晶片提供给检查装置进行晶片的电气特性检查。在此，带划片框架的晶片是指在划片框架的薄片上所粘接固定了的晶片。对带划片框架的晶片，例如使用图3所示的载置机构。

为此，根据图3(a)～(c)，对在带划片框架的晶片的检查中所使用的载置机构进行说明。其中，图3(a)～(c)示出在使用载置机构进行晶片的检查之后，将带划片框架的晶片DFW从载置机构向加载器室搬送的方法的初始阶段。如图3所示，该载置机构具有载置带划片框架的晶片DFW的载置台1、和沿着载置台1的外周面隔开预定间隔安装的多个气缸机构2。气缸机构2具有气缸主体2A、在气缸主体2A的上表面伸缩的杆2B和形成在杆的前端并吸附固定划片框架DF的承受部2C。另外，在晶片W的检查时，晶片W隔着薄片F被吸附固定在载置台1的载置面上，划片框架DF被吸附固定在气缸机构2的杆2A收缩至最短时的承受部2C上。

然而，在检查后，将晶片W从载置台1向加载器室侧搬送时，为了将带划片框架的晶片DFW交接给晶片搬送机构，将晶片W从载置台1的载置面顶起一定的尺寸。此时，气缸机构2进行驱动，从图3(a)所示的状态伸出杆2B，承受部2C的承受面超过了该图(b)所示的载置台1的载置面的高度，当杆2B进一步伸长时带划片框架的晶片DFW的薄片F从载置面被剥离，分开预定的尺寸后停止。晶片搬送机构的臂部进入此时的晶片W和载置面之间产生的间隙里，通过臂部将带划片框架的晶片DFW向加载器室侧搬送。

但是，如图3(b)到(c)所示，通过气缸机构2顶起带划片框架的晶片将晶片W从载置台1的载置面剥离时，在薄片F上发生剥离带电，由于此时的静电，晶片W的器件配线结构有可能受到损伤。虽然为了避免这种问题出现，使用静电消除器如该图中的箭头A所示地照射离子，来降低薄片F的带电量，但是有时不够充分。并且，此时的剥离带电量有时会达到3KV～5KV左右。

降低剥离带电的方法例如记载在专利文献1、2中。专利文献1记载了如下方法：使板状部件从载置部移动时，利用通过激励载置部而产生的声波的放射压，使板状部件从载置部浮起来，从而抑制板状部件的剥离带电。但是，该方法使声波发生放射压的机构复杂。并且，在专利文献2中记载了如下方法：使用除电器的同时使用升降部件使基板的上升在基板的至少一部分从载物台分离的第一停止位置处停止，并至少一次使基板的上升在比第一停止位置高的第二停止位置处停止，由此降低基板的剥离带电。该方法虽然简单，但是在该专利文献2中并未提及将带划片框架的晶片从载置面剥离的方法。并且，与专利文献2一样，在专利文献1中也没有提及带划片框架的晶片。

专利文献1：日本特开2004-067369号公报

专利文献2：日本特开2006-049391号公报

发明内容

本发明是为解决上述课题而做出的，其目的在于，提供一种能在从载置台搬送带划片框架的晶片的初始阶段抑制在载置台和薄片之间发生剥离带电的载置机构、带划片框架的晶片的搬送方法及被用于该搬送方法的晶片搬送用程序。

本发明人对将带划片框架的晶片从载置台剥离时的剥离带电进行研究的结果发现，在使用现有的载置机构中的气缸机构将带划片框架的晶片从载置台剥离的方法，其带划片框架的晶片的上升速度不稳定，而且不能任意设定上升速度，因此不能充分抑制剥离带电量。