[发明专利]制作半导体器件结构的线接触孔的方法有效
| 申请号： | 201010288142.4 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102403266A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 黄敬勇;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 结构 接触 方法 | ||
1.一种制作半导体器件结构的线接触孔的方法，其特征在于：
提供前端器件层结构，该前端器件层结构包括具有栅极结构的衬底，和形成衬底中位于该栅极结构两侧的有源区，在所述衬底的表面依序形成有刻蚀停止层和层间介质层；
在所述层间介质层的表面形成堆叠掩膜层，在所述堆叠掩膜层中对应于所述有源区的位置处刻蚀形成开口；
在所述开口的侧壁和底部形成聚合物层，使所述开口的底部直径达到目标值；
去除所述开口底部的所述聚合物层；
以带有所述开口的堆叠掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层，形成所述半导体器件结构的线接触孔。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆叠掩膜层的厚度为2000埃至3500埃。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆叠掩膜层包括抗反射层和ODL层，或者包括抗反射层和APF层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述堆叠掩膜层形成开口的刻蚀方式为竖直向下的干法刻蚀方式。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀气体包含氮气和氢气。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氮气和氢气的体积比为1∶1至2∶1。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述开口底部的所述聚合物层的刻蚀方式是竖直向下的干法刻蚀方式。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀气体为包含CO、CO2或SO2和O2的刻蚀气体。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述CO、CO2或SO2和O2的体积比为1∶6至1∶10。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标值为40nm至50nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
