[发明专利]半导体结构与在鳍状装置之鳍状结构之间形成隔离的方法

权利要求书

1.一种用来在半导体基板中形成鳍状场效电晶体装置的方法，包括下列步骤：

从该半导体基板形成一个或多个鳍状结构，该鳍状结构包含垂直侧壁，形成该一个或多个鳍状结构的该步骤在该一个或多个鳍状结构之间的所曝露的半导体基板上界定隔离沟槽；

在该隔离沟槽的底部中和该一个或多个鳍状结构的该垂直侧壁上沉积氧化层，该隔离沟槽的该底部中的该氧化层具有大于该垂直侧壁上的该氧化层的厚度；以及

从该垂直侧壁移除该氧化层以及从该隔离沟槽移除至少一部分该氧化层，以在该隔离沟槽中形成均匀厚的隔离氧化层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体基板包括块体硅晶圆。

3.如权利要求2所述的方法，其中，在该隔离沟槽的该底部中沉积该氧化层的步骤包括以4∶1或更高的比例将较多的氧化物沉积在该一个或多个鳍状结构之间的所曝露的块体硅晶圆的水平表面上，而将较少的氧化物沉积在该鳍状结构的垂直侧壁上。

4.如权利要求3所述的方法，其中，沉积该氧化层的步骤包括使用中度至低度溅镀至沉积比例的高密度电浆化学气相沉积制程，以在垂直侧壁和底部覆盖造成1∶5的厚度比例。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该隔离氧化层在该隔离沟槽的该底部的厚度介于5至15nm。

6.如权利要求1所述的方法，其中，移除氧化物的步骤包括从该垂直侧壁等向性蚀刻该氧化层及从该隔离沟槽等向性蚀刻一部分该氧化层。

7.如权利要求6所述的方法，其中，等向性蚀刻该氧化层的步骤包括使用化学氧化物移除制程。

8.如权利要求7所述的方法，其中，使用化学氧化物移除制程的步骤包括使用化学氧化物移除COR制程、Siconi^TM化学蚀刻制程和湿蚀刻制程的其中之一。

9.一种用来在一个或多个鳍状结构之间形成隔离的方法，该一个或多个鳍状结构是从块体硅晶圆所形成，该方法包括下列步骤：

提供块体硅晶圆，该块体硅晶圆具有一个或多个从该块体硅晶圆所形成的鳍状结构，该一个或多个鳍状结构之间有隔离沟槽，并且，各该鳍状结构具有垂直侧壁；

使用高密度电浆化学气相沉积制程，在该块体硅晶圆的各该隔离沟槽的底部中及该一个或多个鳍状结构的该垂直侧壁上沉积氧化层；以及

从该垂直侧壁等向性蚀刻该氧化层以及等向性蚀刻各该隔离沟槽中至少一部分该氧化层，以在该隔离沟槽的该底部中形成具有均匀厚度的隔离氧化层，该隔离氧化层在该鳍状结构之间形成隔离，并降低该鳍状结构在该隔离氧化层上方的高度的变化率。

10.如权利要求9所述的方法，其中，沉积该氧化层的步骤包括以4∶1或更高的比例在所曝露的块体硅晶圆的水平表面沉积较多的氧化物，而在该鳍状结构的该垂直侧壁上沉积较少的氧化物。

11.如权利要求9所述的方法，其中，该隔离氧化层的厚度介于5至15nm。

12.如权利要求9所述的方法，其中，等向性蚀刻该氧化层的步骤包括使用化学氧化物移除制程。

13.如权利要求12所述的方法，其中，使用化学氧化物移除制程的步骤包括使用化学氧化物移除COR制程、Siconi^TM气相蚀刻制程和湿蚀刻制程的其中之一。

14.一种具有浅沟槽隔离的块体鳍状场效电晶体装置，该浅沟槽隔离是在一个或多个鳍状结构之间，该装置包括：

块体硅晶圆，具有一个或多个鳍状结构，各该一个或多个鳍状结构包含垂直侧壁；

沟槽，位于各该一个或多个鳍状结构之间的该块体硅晶圆上；以及

该沟槽的底部中的均匀厚的高密度电浆HDP氧化层，该高密度电浆氧化层形成浅沟槽隔离并且界定具有均匀高度的鳍状结构。