[发明专利]光电转换装置和图像拾取系统有效
申请号: | 201010288432.9 | 申请日: | 2010-09-21 |
公开(公告)号: | CN102036019A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 前田康次;衣笠友寿 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335;H04N5/341;H04N5/3745 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李颖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 图像 拾取 系统 | ||
1.一种装置,包括:
多个像素输出单元,每个像素输出单元包含被配置为响应于入射光而输出信号的像素并包含第一输出单元和第二输出单元中的至少一个;
输出线,所述输出线经由第一开关与多个第一输出单元连接并经由第二开关与多个第二输出单元连接;
基准输出单元,所述基准输出单元被配置为向所述输出线输出基准信号;以及
控制单元,所述控制单元被配置为控制所述多个像素输出单元的操作和所述基准输出单元的操作;
其中,每个第一输出单元包含第一晶体管,所述第一晶体管用于根据来自像素的输出来升高所述输出线的电势;以及
每个第二输出单元包含第二晶体管,所述第二晶体管用于根据来自像素的输出来降低所述输出线的电势;
并且其中,所述控制单元控制操作以使得:
多个第一开关同时被接通,以从所述第一晶体管输出电平高于所述基准信号的信号;以及
然后,多个第二开关同时被接通,以从所述第二晶体管输出电平低于从第一晶体管输出的信号的信号。
2.根据权利要求1的装置,其中,所述第一晶体管或所述第二晶体管是共漏极MOS晶体管和共集电极双极型晶体管中的一个。
3.根据权利要求1的装置,其中,所述第一输出单元是共漏极MOS晶体管或共集电极双极型晶体管,所述第二晶体管是共漏极MOS晶体管或共集电极双极型晶体管。
4.根据权利要求1~3中的一项的装置,其中,所述基准输出单元包含被遮光的光电转换元件。
5.一种系统,包括:
根据权利要求1~3中的一项的装置;以及
被配置为处理从所述装置输出的信号的处理单元。
6.一种装置,包括:
多个像素输出单元,每个像素输出单元包含被配置为响应于入射光而输出信号的像素并包含第一输出单元和第二输出单元中的至少一个;
输出线,所述输出线经由第一开关与多个第一输出单元连接并经由第二开关与多个第二输出单元连接;
基准输出单元,所述基准输出单元被配置为向所述输出线输出基准信号;以及
控制单元,所述控制单元被配置为控制所述多个像素输出单元的操作和所述基准输出单元的操作;
其中,每个第一输出单元包含第一晶体管,所述第一晶体管用于根据来自像素的输出来升高所述输出线的电势;以及
每个第二输出单元包含第二晶体管,所述第二晶体管用于根据来自像素的输出来降低所述输出线的电势;
以及其中,所述控制单元控制操作以使得:
多个第二开关同时被接通,以从第二晶体管输出电平低于所述基准信号的信号;以及
然后,多个第一开关同时被接通,以从所述第一晶体管输出电平高于从所述第二晶体管输出的信号的信号。
7.根据权利要求6的装置,其中,所述第一晶体管或所述第二晶体管是共漏极MOS晶体管和共集电极双极型晶体管中的一个。
8.根据权利要求6的装置,其中,所述第一晶体管是共漏极MOS晶体管或共集电极双极型晶体管,所述第二晶体管是共漏极MOS晶体管或共集电极双极型晶体管。
9.根据权利要求6~8中的一项的装置,其中,所述基准输出单元包含被遮光的光电转换元件。
10.一种系统,包括:
根据权利要求6~8中的一项的装置;以及
被配置为处理从所述装置输出的信号的处理单元。
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