[发明专利]去除三氯氢硅中硼杂质的方法有效
| 申请号： | 201010288968.0 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101913610A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张新;王璜;李强;卢涛;毕有东 | 申请（专利权）人： | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 罗丽;武森涛 |
| 地址： | 614000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 三氯氢硅中硼 杂质 方法 | ||
【权利要求书】：
1.去除三氯氢硅中硼杂质的方法，其特征在于：在三氯氢硅中添加活性炭，混匀、静置吸附，过滤后即得去除了硼杂质的三氯氢硅。
2.根据权利要求1所述的去除三氯氢硅中硼杂质的方法，其特征在于：活性炭用量为三氯氢硅重量的5～6.7％。
3.根据权利要求1所述的去除三氯氢硅中硼杂质的方法，其特征在于：静置吸附时间为90～120min。
4.根据权利要求1～3任一项所述的去除三氯氢硅中硼杂质的方法，其特征在于：活性炭直径为0.2～0.5mm，表面孔径为1nm～20nm，比表面积为500～2500m2/g。
5.根据权利要求4所述的去除三氯氢硅中硼杂质的方法，其特征在于：活性炭比表面积为2000～2500m2/g。
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