[发明专利]一种MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源有效

专利信息
申请号: 201010289075.8 申请日: 2010-09-21
公开(公告)号: CN101924472A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 杨振文;吴月涛 申请(专利权)人: 深圳市华意隆实业发展有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M7/5387;H02M7/219;H02H7/10;H02H5/04
代理公司: 深圳市港湾知识产权代理有限公司 44258 代理人: 冯达猷
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos igbt 混合 桥路逆变式 焊割 电源
【权利要求书】:

1.一种MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源,其特征在于,包括:按电流流向而顺序连接的:输入EMC电路、一次侧整流滤波电路、混合器件逆变电路、隔离变压器、二次侧整流滤波电路以及主控制板电路;所述电流在主控制板电路处进入混合器件逆变电路;所述混合器件逆变电路由四只MOS管和四只IGBT管桥接而成,并将四只MOS管和四只IGBT管分别分为两组MOS管和两组IGBT管;所述主控制板电路向所述混合器件逆变电路的MOS管和IGBT管分别有序的输出四组八路PWM信号,让同一组的MOS管和/或IGBT管同时导通,而让另一组的MOS管和/或IGBT管在与前一组MOS管和/或IGBT管之间的具有相位差时导通。

2.根据权利要求1所述的MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源,其特征在于,所述主控制板电路由PWM脉宽调制电路,脉冲延时关断电路,隔离驱动电路,电流给定和电流反馈电路,过流保护电路,欠压保护电路,以及辅助电路构成。

3.根据权利要求2所述的MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源,其特征在于,所述隔离驱动电路包括:MOS管隔离驱动电路和IGBT管隔离驱动电路。

4.根据权利要求3所述的MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源,其特征在于,所述MOS管隔离驱动电路包括:MOS管隔离电路和MOS管驱动脉冲脉冲上升沿下降沿整形处理电路。

5.根据权利要求3所述的MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源,其特征在于,所述IGBT管隔离驱动电路包括:IGBT管隔离电路和IGBT管驱动脉冲脉冲上升沿下降沿整形处理电路。

6.根据权利要求4或5所述的MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源,其特征在于,所述相位差为180o

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