[发明专利]一种MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源

说明书

技术领域

本发明涉及焊割电源产品领域，具体涉及一种MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源。

背景技术

焊割电源，是一种为焊接电弧或者切割电弧提供电压电流的电源装置。在各种焊割电源中，具有节能、节材、高效、环保等优点的焊割电源只有逆变式焊割电源。目前的逆变式焊割电源主要采用的是MOS管逆变电路和IGBT管逆变电路两种，根据两种不同电力开关半导体器件的特点可知：MOS管开关速度高，所以适合较高频的逆变电路（目前采用MOS管的逆变电路的焊割电源逆变频率一般都在110KHz左右）但是，MOS管导通电阻大，通态损耗大，使得焊割电源整机效率难以提高，发热严重，为其采取的散热设施变得复杂和昂贵；IGBT管由于是双极性的，所以导通时管压降很低，通态损耗很小，但是IGBT管的开关速度较低，而且还有关断时电流的拖尾现象，其开和关都会产生很大的损耗，所以不能在较高频率下使用（目前采用IGBT管的逆变电路的焊割电源逆变频率一般都在20KHz左右），这就使得采用IGBT管的逆变式焊割电源的变压器和电抗都不能进一步减小，在节材，节能方面不能进一步提升。

发明内容

[0004] 为克服上述缺陷，本发明的目的即在于提供一种MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明一种MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源，包括：按电流流向而顺序连接的：输入EMC电路、一次侧整流滤波电路、混合器件逆变电路、隔离变压器、二次侧整流滤波电路以及主控制板电路；所述电流在主控制板电路处进入混合器件逆变电路；所述混合器件逆变电路由四只MOS管和四只IGBT管桥接而成，并将四只MOS管和四只IGBT管分别分为两组MOS管和两组IGBT管；所述主控制板电路向所述混合器件逆变电路的MOS管和IGBT管分别有序的输出四组八路PWM信号，让同一组的MOS管和/或IGBT管同时导通，而让另一组的MOS管和/或IGBT管在与前一组MOS管和/或IGBT管之间的具有相位差时导通。

本发明“一种MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源”采用MOS管和IGBT管组成混合桥路。让两种电力开关器件按一定规律组合，并且按一定规律开通和关断。使得整个逆变电路既能发挥MOS管开关速度的优势，又能发挥IGBT管低通态压降的优势。这使得本发明具有逆变频率较高，而且电力开关器件发热较小，比MOS管逆变式焊割电源和IGBT管逆变式焊割电源中任何一种焊割电源都更加节能、节材、高效等优点。

附图说明

为了易于说明，本发明由下述的较佳实施例及附图作以详细描述。

图1是本发明的电路工作流程示意图；

图2是本发明的主回路电路原理图；

图3是本发明的主控制板电气原理图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图1，本发明一种MOS管和IGBT管混合桥路逆变式焊割电源，包括：按电流流向而顺序连接的：输入EMC电路1、一次侧整流滤波电路2、混合器件逆变电路3、隔离变压器4、二次侧整流滤波电路5以及主控制板电路6；所述电流在主控制板电路6处进入混合器件逆变电路3；所述混合器件逆变电路3由四只MOS管和四只IGBT管桥接而成，并将四只MOS管和四只IGBT管分别分为两组MOS管和两组IGBT管；所述主控制板电路6向所述混合器件逆变电路3的MOS管和IGBT管分别有序的输出四组八路PWM信号，让同一组的MOS管和/或IGBT管同时导通，而让另一组的MOS管和/或IGBT管在与前一组MOS管和/或IGBT管之间的具有相位差时导通。

请参看图2，主回路电路结构原理具体为：

输入滤波电路1由电源开关S1，差模滤波电容C34和C38，共模滤波电容C33，C35，C36，C7以及共模滤波电感L1组成。电网干扰信号通过上述滤波器的滤除，使得本焊割电源免受外界电磁干扰，提高稳定性；同样，本焊割电源产生的电磁干扰信号会也会被上述滤波器滤除，使得本焊割电源不会对外界产生电磁干扰，提高其他设备的稳定性。