[发明专利]一种数字可变增益放大器有效

专利信息
申请号: 201010289321.X 申请日: 2010-09-20
公开(公告)号: CN101951236B 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 吴建辉;胡超;陈超;吉新村;徐震;竺磊;徐毅;杨世铎;孙杰 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03G3/20 分类号: H03G3/20;H03F3/45
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 数字 可变 增益 放大器
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种数字可变增益放大器。

背景技术

可变增益放大器作为射频接收机的关键模块,其设计技术的研究一直是射频与模拟 集成电路的研究热点。可变增益放大器需要在增益控制范围、增益控制精度、带宽、线 性度、面积、功耗等性能之间进行折衷。为了在不同信号功率下,自动增益控制环路 (AGC)具有相同的瞬态响应和准确定义的建立时间,可变增益放大器都必须满足增益 相对控制信号的变化呈dB线性变化。可变增益放大器主要分为模拟可变增益放大器 (VGA)和数字可变增益放大器(PGA)。而数字可变增益放大器的数字控制方式易于 实现,增益控制精度高,结构较为简单,所以逐渐成为主流。

数字控制增益放大器主要分成两大类,即闭环结构和开环结构:闭环结构主要是通 过数字开关控制反馈网络,改变反馈因子实现增益数字控制;开环结构主要有源退化结 构、二极管负载结构、共源共栅差分对等几种形式。

一般闭环结构通过运算放大器与反馈网络组成,运算放大器可以是电压型运算放大 器也可以是电流型运算放大器,反馈网络可以是电阻反馈网络也可以是开关电容反馈网 络。通过数字开关改变反馈网络的电阻阵列或者电容阵列,从而实现增益线性dB变化。 闭环结构的增益由电阻或电容的比例决定,而工艺上比例电阻、电容的精度较高,所以 闭环结构具有增益控制精度高、线性度高等优点。但是采用闭环结构的数字可变增益放 大器也带来很多问题:采用电压运算放大器首先面积较大;基于电压型运算放大器,改 变反馈网络后,反馈因子的变化会导致带宽的变化,即增益越大,带宽越小;采用电流 型运算放大器,虽然能保证带宽基本不随增益变化,但是消耗的功耗过大;此外,采用 电阻反馈网络,芯片面试很大,同时噪声性能也会恶化;采用开关电容反馈网络,结构 复杂,芯片面积大,且需要通过离散时间分析,造成一定的难度。

开环结构采用的源退化结构,即差分输入级加上源退化电阻,跨导近似与源退化电 阻成线性关系,输出负载级也是电阻组成;为了保证输出共模电压的稳定,一般通过数 字开关改变源退化电阻网络,实现增益数字可变。这种方式虽然结构简单,面积较小, 但线性度不高,且改变源退化电阻网络时,线性度与噪声都会受到影响。

为了增大源退化开环结构的线性度,最有效的方法就是通过一个局部反馈,提高等 效的输入跨导,这时线性度虽然提高了,但是带来的问题是芯片面积变大、功耗增大。 二极管负载结构由差分输入级与二极管负载级组成,增益为差分输入跨导与输出二极管 负载的乘积。为了保证增益不受工艺角的影响(即不受电子迁移率与空穴迁移率变化的 影响),负载二极管MOS管的类型需要与差分输入级MOS管的类型相等,这时需要电 流镜来实现。通过数字开关控制电流源或者电流镜的比例放大因子等方式,改变差分输 入级的跨导或负载二极管的跨导,从而实现增益的dB线性变化。这种方式结构简单, 面积较小,增益控制精度较高,但是控制增益的改变会引起直流静态工作点的变化,并 带来功耗过大的问题。共源共栅放大结构,由差分输入级,共栅放大级,与负载电阻组 成,通过改变共栅放大极的共栅开关网络,从而改变输入级的小信号变化电流传递到输 出负载级的比例,从而实现增益线性变化。此结构电路带宽较大,结构较为简单,噪声 较小,芯片面积较小,且改变共栅放大级的共栅开关网络,对整个电路的直流工作点未 造成任何影响。但是由于此电路结构增益是差分输入跨导与输出电阻的乘积,而差分输 入跨导容易受工艺等因素而变化,同时电阻阻值也容易受工艺变化而变化,所以增益控 制精度不高,线性度也较低。

发明内容

发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种具有直流工作点稳定、 芯片面积少、增益控制精度高、宽带高且相对恒定、电路结构简单的数字可变增益放大 器。

技术方案:为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:

一种数字可变增益放大器(programmable gain amplifier),利用MOS晶体管差分 输入端开关控制网络与MOS晶体管二极管正/负反馈开关控制网络,改变等效输入跨导 与电流镜的比例放大因子,从而实现数字可变增益放大功能,该数字可变增益放大器包 括差分输入级跨导控制网络,MOS晶体管二级管正/负反馈控制网络,输出负载级三部分:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010289321.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top