[发明专利]晶片边缘曝光模块及晶片边缘曝光方法有效

专利信息
申请号: 201010290341.9 申请日: 2010-09-20
公开(公告)号: CN102147572A 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 简聪智;陈永镇;李宏仁 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 晶片 边缘 曝光 模块 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片边缘曝光模块,连接至一半导体晶片涂布显影系统,包括:

一晶片旋转装置,支持一晶片,该晶片涂布有一光敏感材料;

一光学系统,同时将一曝光光线指向该晶片的一各别边缘部分;

一扫描机界面模块,通过一计算机网络传送或接收来自一扫描机的一伪边缘曝光信息;以及

一控制器,利用来自该扫描机的该伪边缘曝光信息控制该光学系统。

2.如权利要求1所述的晶片边缘曝光模块,其中该光学系统还包括一光源,发射该曝光光线,以及一聚焦透镜,聚焦接收自该光源的该曝光光线。

3.如权利要求2所述的晶片边缘曝光模块,其中该光学系统还包括一曝光光掩模,使该曝光光线成形,以对该晶片的周边上的该光敏感材料进行照射及显影。

4.如权利要求3所述的晶片边缘曝光模块,其中该光学系统包括N个光源,N为一大于1的整数,所述N个光源彼此以每一连续光源对之间的一大约360/N的角度分隔设置。

5.如权利要求3所述的晶片边缘曝光模块,还包括多个凹口搜索单元,其为固定式或可移动式,以检测一接近该晶片的一边缘部分的凹口。

6.如权利要求5所述的晶片边缘曝光模块,其中所述多个凹口搜索单元包括两个凹口搜索单元,其为固定式或可移动式,彼此沿一通过一轴的线段直接相对。

7.如权利要求5所述的晶片边缘曝光模块,其中所述多个凹口搜索单元包括N个凹口搜索单元,N为一大于1的整数,所述N个凹口搜索单元彼此以每一连续凹口搜索单元对之间的一大约360/N的角度分隔设置。

8.如权利要求7所述的晶片边缘曝光模块,还包括一控制器,控制一晶片边缘曝光工艺的一时间,以包括通过所述多个凹口搜索单元中至少两连续凹口搜索单元对该凹口的检测。

9.一种晶片边缘曝光模块,连接至一半导体晶片涂布显影系统,包括:

一晶片旋转装置,支持一晶片,该晶片涂布有一光敏感材料;

一光学系统,同时将一曝光光线指向该晶片的一各别边缘部分,该光学系统还包括:

两个光源,发射该曝光光线,所述两个光源彼此以每一连续光源对之间的一大约180度的角度分隔设置;

一聚焦透镜,聚焦接收自所述多个光源的该曝光光线;以及

一曝光光掩模,使该曝光光线成形,以对该晶片的周边上的该光敏感材料进行照射及显影;

一扫描机界面模块,通过一计算机网络传送或接收来自一扫描机的一伪边缘曝光信息;以及

一控制器,利用来自该扫描机的该伪边缘曝光信息控制该光学系统。

10.如权利要求9所述的晶片边缘曝光模块,还包括多个凹口搜索单元,其为固定式或可移动式,以检测一接近该晶片的一边缘部分的凹口。

11.如权利要求10所述的晶片边缘曝光模块,其中所述多个凹口搜索单元包括两个凹口搜索单元,其为固定式或可移动式,彼此沿一通过一轴的线段直接相对。

12.如权利要求11所述的晶片边缘曝光模块,还包括一控制器,控制一晶片边缘曝光工艺的一时间,以包括通过所述多个凹口搜索单元中至少两连续凹口搜索单元对该凹口的检测。

13.一种半导体晶片涂布显影系统的晶片边缘曝光方法,包括:

以一晶片旋转装置支持一晶片;

涂布一光敏感材料于该晶片上;

以一光学系统同时将一曝光光线指向该晶片的一各别边缘部分,该光学系统还包括:

N个光源,发射该曝光光线,N为一大于1的整数,所述N个光源彼此以每一连续光源对之间的一360/N的角度分隔设置;

一聚焦透镜,聚焦接收自所述N个光源的该曝光光线;以及

一曝光光掩模,使该曝光光线成形,以对该晶片的周边上的该光敏感材料进行照射及显影;

通过一计算机网络传送或接收来自一扫描机的一伪边缘曝光信息;以及

利用来自该扫描机的该伪边缘曝光信息控制该光学系统。

14.如权利要求13所述的半导体晶片涂布显影系统的晶片边缘曝光方法,还包括以多个固定式或可移动式的凹口搜索单元检测一接近该晶片的一边缘部分的凹口。

15.如权利要求14所述的半导体晶片涂布显影系统的晶片边缘曝光方法,其中所述多个凹口搜索单元包括三个凹口搜索单元,其为固定式或可移动式,彼此沿一通过一轴的线段直接相对。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010290341.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top