[发明专利]晶片边缘曝光模块及晶片边缘曝光方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制造方法，特别涉及一种可减少扫描机曝光时间及增加半导体产率的方法及系统。

背景技术

半导体制造方法包括沉积、图案化以及于半导体晶片上移除不同材料层。

图1公开一典型的半导体制造方法1000。晶片通常于一晶片涂布显影系统(wafer track)中进行加工。晶片涂布显影系统整合多种可对光致抗蚀剂进行加工的装置。于沉积一光致抗蚀剂层后，如步骤1002，常常须利用化学机械研磨(CMP)对沉积层进行平坦化步骤。化学机械研磨(CMP)包括于一泥浆存在下以一研磨垫对沉积层进行研磨。于完成化学机械研磨(CMP)后，须移除泥浆残留物及污染物，以避免集成电路层的污染。于沉积光致抗蚀剂后，将晶片自晶片涂布显影系统移至一扫描机。

扫描机为一投射式曝光(projection-printing)工具，以将一光掩模图像投射至晶片上。将光掩模图像投射至晶片上，对晶片主要区域进行曝光，如步骤1004。于主要区域曝光后，于一晶片边缘曝光(WEE)单元中进行晶片边缘曝光，以形成一边缘密封环，如步骤1006。

在许多半导体制造方法中，扫描机曝光时间经常为一时间限制因子。

于完成扫描机曝光后，将晶片传输回晶片涂布显影系统进行图案显影，如步骤1008。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的缺陷。

本发明的一实施例，提供一种晶片边缘曝光模块，连接至一半导体晶片涂布显影系统，并为该半导体晶片涂布显影系统的一部分。该晶片边缘曝光模块包括一晶片旋转装置、一光学系统、一扫描机界面模块以及一控制器。该晶片旋转装置支持一晶片，以进行加工。该光学系统同时将一曝光光线指向该晶片的一各别边缘部分，以于该晶片的边缘上创造一伪图案。该扫描机界面模块通过一计算机网络传送及/或接收来自一扫描机的一伪边缘曝光信息。该控制器接收来自该扫描机界面模块的该伪边缘曝光信息，并利用该伪边缘曝光信息控制该光学系统。

本发明的另一实施例，提供一种晶片边缘曝光模块，连接至一半导体晶片涂布显影系统，包括：一晶片旋转装置，支持一晶片，该晶片涂布有一光敏感材料；一光学系统，同时将一曝光光线指向该晶片的一各别边缘部分，该光学系统还包括：两个光源，发射该曝光光线，所述两个光源彼此以每一连续光源对之间的一大约180度的角度分隔设置；一聚焦透镜，聚焦接收自所述多个光源的该曝光光线；以及一曝光光掩模，使该曝光光线成形，以对该晶片的周边上的该光敏感材料进行照射及显影；一扫描机界面模块，通过一计算机网络传送或接收来自一扫描机的一伪边缘曝光信息；以及一控制器，利用来自该扫描机的该伪边缘曝光信息控制该光学系统。

本发明的又一实施例，提供一种半导体晶片涂布显影系统的晶片边缘曝光方法，包括：以一晶片旋转装置支持一晶片；涂布一光敏感材料于该晶片上；以一光学系统同时将一曝光光线指向该晶片的一各别边缘部分，该光学系统还包括：N个光源，发射该曝光光线，N为一大于1的整数，所述N个光源彼此以每一连续光源对之间的一360/N的角度分隔设置；一聚焦透镜，聚焦接收自所述N个光源的该曝光光线；以及一曝光光掩模，使该曝光光线成形，以对该晶片的周边上的该光敏感材料进行照射及显影；通过一计算机网络传送或接收来自一扫描机的一伪边缘曝光信息；以及利用来自该扫描机的该伪边缘曝光信息控制该光学系统

本发明可减少扫描机曝光时间及增加产率。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图，进行详细说明。

附图说明

图1公开公知一典型的半导体制造方法；

图2根据本发明的一实施例，公开一半导体制造方法，其中于晶片涂布显影系统内，实施晶片边缘曝光(wafer edge exposure)；

图3根据本发明的一实施例，公开一嵌入于一晶片涂布显影系统内的晶片边缘曝光模块。

其中，附图标记说明如下：

公知图1

1000～半导体制造方法；

1002～沉积一光致抗蚀剂层；

1004～将光掩模图像投射至晶片上，对晶片主要区域进行曝光；

1006～于主要区域曝光后，于一晶片边缘曝光(WEE)单元中进行晶片边缘曝光，以形成一边缘密封环；

1008～于完成扫描机曝光后，将晶片传输回晶片涂布显影系统进行图案显影。

本发明图2～图3

2000～半导体制造方法；