[发明专利]一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201010292838.4 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101980383A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 季辉;梁智勇;艾建军;林振贤;何大庆 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 410007 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 化合物 半导体 led 外延 及其 生长 方法 | ||
1.一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED外延片，包括有源层，其特征在于，所述有源层由一个或多个量子阱垒组成，所述量子阱垒自下而上依次包括阱层(51)、第一垒层(52)、第二垒层(53)。
2.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述阱层(51)的生长温度为T1，所述第一垒层(52)的生长温度为T2，所述第二垒层(53)的生长温度为T3，其中，T1＜T2＜T3。
3.根据权利要求2所述的LED外延片，其特征在于，所述T2满足如下关系式：
T1+10℃≤T2≤T1+100℃。
4.根据权利要求2或3所述的LED外延片，其特征在于，所述T3满足如下关系式：
T2+10℃≤T3≤T2+100℃。
5.根据权利要求4所述的LED外延片，其特征在于，所述T 1满足如下关系式：
700℃＜T1＜800℃。
6.根据权利要求5所述的LED外延片，其特征在于，所述第一垒层(52)的生长厚度为20-200nm。
7.根据权利要求5或6所述的LED外延片，其特征在于，所述第二垒层(53)的生长厚度为20-200nm。
8.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述有源层包括1-20组所述量子阱垒。
9.一种氮化镓基III-V族化合物半导体LED外延片的生长方法，包括：
生长有源层；
其特征在于，生长有源层的步骤包括：
将温度调至T1生长阱层(51)；
将温度调至T2，在所述阱层(51)的上侧生长第一垒层(52)；
将温度调至T3，在所述第一垒层(52)上生长第二垒层(53)，形成量子阱垒结构；
其中，所述T1＜T2＜T3。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述T2满足如下关系式：
T1+10℃≤T2≤T1+100℃。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述T3满足如下关系式：
T2+10℃≤T3≤T2+100℃。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述T1满足如下关系式：
700℃＜T1＜800℃。
13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述阱层(51)的生长条件为：在温度T1，压力为300-500mbar下，以N2作为载气，载气的流量为40-70标准升/分钟，持续90-120秒，得到厚度为10-50nm的所述阱层(51)。
14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一垒层(52)的生长条件为：在温度T2下，压力为300-500mbar，以N2或H2或氢氮混合气体作为载气，载气的流量为40-70标准升/分钟，得到厚度为20-200nm的所述第一垒层(52)。
15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二垒层(53)的生长条件为：在温度T3，压力为300-500mbar下，以N2或H2或氢氮混合气体作为载气，载气的流量为40-70标准升/分钟，得到厚度为20-200nm的所述第二垒层(53)。
16.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，依序进行所述生长阱层、第一垒层以及第二垒层的步骤，在所述有源层形成1-20个所述量子阱垒结构。
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