[发明专利]有源元件、像素结构以及显示面板无效
申请号: | 201010293365.X | 申请日: | 2010-09-26 |
公开(公告)号: | CN102064180A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 陈昱丞;李怡慧;林志宏;陈茂松 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/41;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 元件 像素 结构 以及 显示 面板 | ||
1.一种像素结构,位于基板上,包括:
扫描线以及数据线;
有源元件,包括栅极、沟道、源极以及漏极,其中该扫描线与该栅极电性连接,该源极与该数据线电性连接;
栅极绝缘层,位于该栅极与该沟道之间;
像素电极,与该漏极电性连接;以及
电容电极,位于该栅极绝缘层上和/或栅极绝缘层之间;
电容介电层,位于该电容电极与该漏极之间。
2.如权利要求1所述的像素结构,其中该电容电极包括:
电容耦合部,与该漏极重叠处构成储存电容器;以及
连接部,与该电容耦合部连接。
3.如权利要求2所述的像素结构,其中该连接部的延伸方向与该扫描线的延伸方向平行。
4.如权利要求2所述的像素结构,其中该连接部与该像素电极至少部分重叠。
5.如权利要求4所述的像素结构,其中该连接部与该数据线至少部分重叠。
6.如权利要求2所述的像素结构,其中该电容耦合部大体与该连接部垂直。
7.如权利要求1所述的像素结构,其中该电容介电层的厚度小于该栅极绝缘层的厚度,且该电容介电层的厚度约为700~1500埃,该栅极绝缘层的厚度约为3300~5100埃。
8.如权利要求1所述的像素结构,其中该基板具有像素区域,该数据线设置在该像素区域的边缘,该扫描线、该有源元件以及该电容电极设置于该像素区域的中间,其中该像素电极具有多个配向图案。
9.如权利要求1所述的像素结构,还包括钝化层,位于该像素电极与该有源元件之间,
其中该钝化层具有接触窗开口,且该像素电极通过该接触窗开口而与该漏极电性连接。
10.如权利要求1所述的像素结构,其中该电容电极不与该栅极重叠。
11.如权利要求1所述的像素结构,其中该电容电极与该栅极或该沟道重叠。
12.如权利要求1所述的像素结构,还包括钝化层,位于该像素电极与该有源元件之间。
13.如权利要求12所述的像素结构,还包括辅助介电层,位于该该栅极与该电容介电层之间,
其中该电容电极夹设于该辅助介电层及该电容介电层之间。
14.一种显示面板包括多个如权利要求1所述的像素结构。
15.一种有源元件,包括:
栅极;
沟道;
栅极绝缘层,位于该栅极与该沟道之间;
源极以及漏极,位于该沟道上方;
电容电极,位于该栅极绝缘层上和/或栅极绝缘层之间;以及
电容介电层,位于该电容电极与该漏极之间。
16.如权利要求15所述的有源元件,其中该电容电极包括电容耦合部,其与该漏极重叠处构成储存电容器。
17.如权利要求15所述的有源元件,其中该电容电极不与该栅极重叠。
18.如权利要求15所述的有源元件,其中该电容电极与该栅极或该沟道重叠。
19.如权利要求15所述的有源元件,其中该沟道位于该栅极上方。
20.如权利要求15所述的有源元件,还包括辅助介电层,位于该该栅极与该电容介电层之间,
其中该电容电极夹设于该辅助介电层及该电容介电层之间,且该沟道位于该栅极下方。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010293365.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的