[发明专利]有源元件、像素结构以及显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及一种有源元件以及具有此有源元件的像素结构以及显示面板。

背景技术

一般而言，液晶显示器的像素结构包括有源元件与像素电极。有源元件用来作为液晶显示单元的开关元件。为了控制个别的像素结构，通常会经由对应的扫描线与数据线来选取特定的像素，并通过提供适当的操作电压，以显示对应此像素的显示数据。另外，像素结构中还包括储存电容器(storagecapacitor)，使得像素结构具有电压保持的功能。也就是，储存电容器能够储存上述所施加的操作电压，以维持像素结构显示画面的稳定性。

为了在像素结构中设置储存电容器，一般需要在像素结构中形成电容电极。然而，若是为了增加储存电容器的电容值而增加电容电极的面积，将会降低像素结构的开口率。

目前已经有一种像素结构是将电容电极设计在数据线的下方，以增加像素结构的开口率。然而，因电容电极与数据线重叠会增加像素结构的负载(loading)，因此，此种像素结构会增加显示面板驱动所需的电源而较为耗电。

发明内容

本发明提供一种有源元件以及具有此有源元件的像素结构以及显示面板，其电容电极的设计可以使像素结构具有高开口率，且不会增加像素结构的负载。

本发明提出一种像素结构，其包括扫描线、数据线、有源元件、栅极绝缘层、像素电极、电容电极及电容介电层。有源元件包括栅极、沟道、源极以及漏极，其中扫描线与栅极电性连接，源极与数据线电性连接。栅极绝缘层位于栅极与沟道之间。像素电极与漏极电性连接。电容电极位于栅极绝缘层上和/或栅极绝缘层之间。电容介电层位于电容电极与漏极之间。

本发明提出一种显示面板，其包括多个上述的像素结构。

本发明提出一种有源元件，其包括栅极、沟道、栅极绝缘层、源极、漏极、电容电极以及电容介电层。栅极绝缘层位于栅极以及沟道之间。源极以及漏极位于沟道上方。电容电极位于栅极绝缘层上和/或栅极绝缘层之间。电容介电层位于电容电极与漏极之间。

基于上述，由于本发明的电容电极位于栅极绝缘层上和/或栅极绝缘层之间，且电容介电层位于电容电极与漏极之间，因而电容电极与漏极形成电容。由于电容电极与漏极之间可以使用较薄的绝缘层，因此设置电容电极可减少占用像素结构的透光区的面积，因而能使像素结构具有高开口率。另外，因本发明的电容电极的电容耦合部没有与数据线重叠设置，因此此种电容电极的设计不会增加像素结构的负载。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A是根据本发明实施例的像素结构的俯视示意图。

图1B是图1A沿着剖面线A-A’的剖面示意图。

图2A是根据本发明实施例的像素结构的俯视示意图。

图2B是图2A沿着剖面线A-A’的剖面示意图。

图3A是根据本发明实施例的像素结构的俯视示意图。

图3B是图3A沿着剖面线A-A’的剖面示意图。

图4是根据本发明实施例的像素结构的俯视示意图。

图5是根据本发明实施例的像素结构的剖面示意图。

图6是根据本发明实施例的显示面板的剖面示意图。

附图标记说明

100、200：基板

102、104：绝缘层

106、170、212：钝化层

110a、110a’：连接部

110b、110b’：电容耦合部

150、160：垫层

160a：下层电极

160b：上层垫层

202：多晶硅层

202c：沟道区

202s：源极区

202d：漏极区

204：栅极绝缘层

206：栅极

208：辅助介电层

210：电容介电层

SL、SL’：扫描线

DL、DL’；数据线

CL、CL’：电容电极

U、U’：像素区域

A：配向图案

G、G’：栅极

CH、CH’：沟道

OM：欧姆接触层

S、S’、SM：源极

D、D’、DM：漏极

PE、PE’、214：像素电极

V、V’、V1～V3：接触窗开口

具体实施方式