[发明专利]静电保护用半导体装置有效
| 申请号： | 201010294346.9 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102024792A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 加藤伸二郎 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;徐予红 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 保护 半导体 装置 | ||
1.一种静电保护用半导体装置，其中包括：
半导体衬底；
配置在所述半导体衬底的表面并且在输入/输出端子与接地端子之间连接的ESD保护元件；
包围所述ESD保护元件的与所述半导体衬底相同导电型的第一阱区；
在所述第一阱区上以包围所述ESD保护元件的方式设置的与所述半导体衬底相同导电型的第一高浓度衬底区；
包围所述第一阱区的外侧的与所述半导体衬底相反导电型的第二阱区；
设于所述第二阱区内的与衬底相同导电型的高浓度正极区；以及
以分别包围所述高浓度正极区和所述第一阱区并且共用其一部分的方式配置在所述第二阱区内的与所述半导体衬底相反导电型的第二高浓度扩散区，
所述高浓度正极区与所述输入/输出端子连接，
所述第一高浓度衬底区与所述接地端子连接，
所述第二高浓度扩散区与电源端子连接。
2.如权利要求1所述的静电保护用半导体装置，其中所述ESD保护元件是保护二极管，该保护二极管的正极与所述输入/输出端子连接且负极与所述接地端子连接。
3.如权利要求1所述的静电保护用半导体装置，其中所述ESD保护元件是MOS晶体管，该MOS晶体管的漏极与所述输入/输出端子连接且源极和栅极和背栅极与所述接地端子连接。
4.如权利要求1所述的静电保护用半导体装置，其中所述ESD保护元件是可控硅，该可控硅的正极与所述输入/输出端子连接且负极与所述接地端子连接。
5.如权利要求1所述的静电保护用半导体装置，其中为了增加再结合的载流子而在所述第二阱区的下方还具有与所述第二阱相同导电型的埋入层。
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