[发明专利]压印光刻方法和设备

说明书

技术领域

本发明涉及压印光刻方法和设备。

背景技术

在光刻术中，为了增加给定的衬底区域上的特征的密度，不断期望减小光刻图案中的特征的尺寸。在光刻术中，更小特征的推动导致了诸如浸没光刻术和极紫外(EUV)光刻术的技术的发展，尽管它们相当昂贵。

已经获得不断增加的关注的、通向更小特征(例如纳米尺寸的特征或亚微米尺寸的特征)的潜在的成本较低的途径是所谓的压印光刻术，其通常涉及将图案转印到衬底上的“印章(stamp)”(通常称作为压印模板或压印光刻模板)的使用。压印光刻术的优点是特征的分辨率不受例如辐射源的发射波长或投影系统的数值孔径的限制。替代地，分辨率主要受限于压印模板上的图案密度。

压印光刻术涉及将要被图案化的衬底的表面上的压印介质的图案化。图案化步骤可以涉及将压印模板的图案化表面和压印介质层压到一起(例如朝向压印介质移动压印模板、或朝向压印模板移动压印介质、或既朝向压印介质移动压印模板又朝向压印模板移动压印介质)，使得压印介质流入到图案化表面中的凹陷中且被图案化表面上的突起推到一边。凹陷限定了压印模板的图案化表面中的图案特征。典型地，压印介质在图案化表面和压印介质被压到一起时是可流动的。在对压印介质进行图案化之后，例如通过用光化辐射照射压印介质，使得压印介质适当地成不可流动的或冻结状态(即固定状态)。之后分离压印模板的图案化表面和图案化的压印介质。为了图案化衬底或进一步地图案化衬底，之后典型地进一步处理衬底和图案化的压印介质。典型地，压印介质被以将要被图案化的衬底的表面上的液滴的形式提供，但是可替代地可使用旋涂等方式提供。

发明内容

由使用光化辐射引起的问题是，为了传递剂量足以使得压印介质成为非流动的或冻结状态的光化辐射，可能需要相当长的时间周期。这可能减少了压印光刻设备的生产量。

根据一方面，提供了一种压印光刻方法，所述方法包括：使得压印模板与设置在衬底上的压印介质形成接触，且将光化辐射引导至所述压印介质处，所述光化辐射被定向成使得它非垂直地入射到所述压印模板的图案化表面上。

根据一方面，提供了一种压印光刻设备，所述压印光刻设备包括光化辐射的出口和压印模板，其中所述光化辐射的出口和所述压印模板被配置成传递光化辐射，所述光化辐射被定向成使得它非垂直地入射到所述压印模板的图案化表面上。

根据一方面，提供了一种压印光刻设备，所述压印光刻设备包括压印模板保持器，其中所述压印模板保持器包括被配置以从光化辐射源将光化辐射传递至压印模板中使得它以非垂直的角度入射到所述压印模板的图案化表面上的结构。

根据一方面，提供了一种压印光刻设备，所述压印光刻设备包括光化辐射的出口，所述光化辐射的出口被配置成使得，在使用期间，它将光化辐射传递至压印模板中，使得它以非垂直的角度入射到所述压印模板的图案化表面上。

根据一方面，提供了一种压印光刻模板，所述压印光刻模板具有不平行于所述压印模板的图案化表面的光化辐射接收表面。

附图说明

将参考附图对本发明的特定实施例进行描述，其中：

图1示意性地示出了根据本发明的实施例的压印光刻方法；

图2是显示石英和硅衬底之间的界面的反射率的图表；

图3示意性地示出了根据本发明的实施例的压印光刻设备；

图4是显示可以从本发明的实施例中得出的反射率值的图表；

图5示意性地示出了根据本发明的实施例的压印光刻设备；

图6示意性地示出了根据本发明的实施例的压印光刻设备；

图7示意性地示出了根据本发明的实施例的压印光刻设备；

图8示意性地示出了根据本发明的实施例的压印模板；和

图9是显示在本发明的实施例中可以得到的反射率值的图表。

具体实施方式

图1示意性地显示出本发明的一个实施例。衬底6设置有压印介质层12。平坦化层8设置在衬底6和压印介质12之间。平坦化层是可选的，在一些情形下可以没有平坦化层。透射辐射的(例如石英)压印模板10被涂覆到压印介质12上，从而在压印介质中形成图案。通过用光化辐射14固化压印介质，图案被冻结在压印介质12中，光化辐射穿过压印模板10传递到压印介质12上。光化辐射14以相对于压印模板的图案化表面的非垂直的角度进入到压印模板10中。从压印介质12移除模板10，所述压印介质12保持压印图案。之后蚀刻压印介质12，从而在平坦化层8中形成图案。