[发明专利]制备双大马士革结构的方法无效
| 申请号： | 201010297241.9 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102082118A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 胡红梅 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 大马士革 结构 方法 | ||
1.一种制备双大马士革结构的方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层以及图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义了通孔结构；
形成覆盖所述刻蚀阻挡层和所述图形化的光刻胶层的介质层；
光刻并刻蚀所述介质层至暴露出所述图形化的光刻胶层，以形成沟槽；
去除所述图形化的光刻胶层以及所述图形化的光刻胶层下方的刻蚀阻挡层，以形成与所述沟槽连通的通孔；
在所述通孔和沟槽内填充金属。
2.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述介质层是利用旋涂方式形成的。
3.如权利要求2所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，刻蚀所述介质层至暴露出所述图形化的光刻胶层的步骤之前，还包括：烘烤所述半导体衬底，以使所述介质层发生热交联反应。
4.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，在所述通孔和沟槽内填充金属的步骤包括：
在所述通孔和沟槽的底部和侧壁处生长金属阻挡层和粘附层；
在所述通孔和沟槽内以及介质层上形成金属互连材料；以及
利用化学机械抛光工艺去除所述介质层上的金属互连材料，留下所述通孔和沟槽内的金属。
5.如权利要求4所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，在所述介质层上以及通孔和沟槽内形成金属互连材料是通过物理气相沉积和电化学镀工艺实现的。
6.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，在所述半导体衬底与所述刻蚀阻挡层之间形成有衬底介质层。
7.如权利要求6所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述衬底介质层的材料为二氧化硅。
8.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述介质层为低介电常数介质层。
9.如权利要求8所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述介质层的材料是含有硅的有机聚合物。
10.如权利要求9所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述含有硅的有机聚合物的材质是硅倍半氧烷。
11.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，干法刻蚀所述介质层至暴露出所述图形化的光刻胶层以形成所述沟槽。
12.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或碳化硅。
13.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，干法刻蚀去除所述图形化的光刻胶层以及图形化的光刻胶层下方的刻蚀阻挡层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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