[发明专利]氮化镓基紫外光发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓基紫外光发光二极管，包括基板、缓冲层及半导体发光结构，基板上形成若干阵列分布的凸起，相邻的凸起之间相互间隔形成一凹陷，基板于每一凹陷的底部形成一底面，缓冲层形成于基板的每一凹陷的底面，其特征在于：还包括横向生长增强层，横向生长增强层覆盖于基板及缓冲层之上，半导体发光结构位于横向生长增强层上。

2.如权利要求1所述的氮化镓基紫外光发光二极管，其特征在于：横向生长增强层为掺杂杂质的Al_xGa_1-xN，0.01＜x＜0.2，杂质选自镁、铬、锰、铁、钼、锌或者钴其中一种。

3.如权利要求2所述的氮化镓基紫外光发光二极管，其特征在于：杂质的掺杂浓度为10¹⁷-10²⁰cm^-3。

4.如权利要求1所述的氮化镓基紫外光发光二极管，其特征在于：缓冲层仅部分填充于基板的每一个凹陷内。

5.如权利要求1所述的氮化镓基紫外光发光二极管，其特征在于：横向生长增强层的厚度大于基板的凹陷的深度且小于3μm。

6.如权利要求1所述的氮化镓基紫外光发光二极管，其特征在于：横向生长增强层的顶面为光滑的平面以进一步形成半导体发光结构。

7.如权利要求1所述的氮化镓基紫外光发光二极管，其特征在于：凹陷的深度为0.5μm-2μm。

8.一种氮化镓基紫外光发光二极管制造方法，其包括以下步骤：

提供基板，基板包括若干阵列分布的凸起，相邻的凸起之间相互间隔一凹陷，基板于每一凹陷的底部形成一底面；

于基板的每一凹陷的底面上形成缓冲层，缓冲层仅部分填充于基板的每一个凹陷内；

于基板及缓冲层之上形成横向生长增强层；

于横向生长增强层上形成半导体发光结构。

9.如权利要求8所述的氮化镓基紫外光发光二极管制造方法，其特征在于：横向生长增强层为掺杂杂质的Al_xGa_1-xN，0.01＜x＜0.2，杂质选自镁、铬、锰、铁或者钴其中一种，杂质的掺杂浓度为10¹⁷-10²⁰cm^-3。

10.如权利要求8所述的氮化镓基紫外光发光二极管制造方法，其特征在于：凹陷的深度为0.5μm-2μm，横向生长增强层的厚度大于基板的凹陷的深度且小于3μm，横向生长增强层的顶面为光滑的平面以进一步形成半导体发光结构。