[发明专利]光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法有效
申请号: | 201010298454.3 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN102033417A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 谷典明;中村久三;清田淳也;铃木寿弘;三村寿文 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F7/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模坯 光掩模 以及 制造 方法 | ||
1.一种光掩模坯,具有透明衬底和配置在所述透明衬底上的掩模层,其特征在于,
所述掩模层具有:
配置在所述透明衬底上的半透明的相移层;
配置在所述相移层上的刻蚀停止层;以及
配置在所述刻蚀停止层上的具有遮光性的遮光层,
所述刻蚀停止层由含有碳并且能够燃烧的材料构成,并且,由不被对所述遮光层进行刻蚀的遮光层刻蚀液刻蚀的材料形成。
2.如权利要求1的光掩模坯,其特征在于,
所述相移层由氧化铬膜构成,所述刻蚀停止层由碳膜构成,所述遮光层由金属铬膜或氮化铬膜的任意一种构成。
3.如权利要求1或2的任意一项的光掩模坯,其特征在于,
在所述相移层和所述刻蚀停止层之间,与所述相移层和所述刻蚀停止层紧贴配置有由铬薄膜构成的粘接层。
4.一种光掩模,具有透明衬底和配置在所述透明衬底上的掩模层,在所述掩模层上形成有对曝光光线进行遮光的遮光区域、使所述曝光光线透过的透光区域、使所述曝光光线的相位发生偏移的相移区域,其特征在于,
所述掩模层具有:
配置在所述透明衬底上的半透明的相移层;
配置在所述相移层上的刻蚀停止层;以及
配置在所述刻蚀停止层上的具有遮光性的遮光层,
所述刻蚀停止层由含有碳并且能够燃烧的材料构成,并且,由不被对所述遮光层进行刻蚀的遮光层刻蚀液刻蚀的材料形成,
在所述衬底上,由残留有所述遮光层的部分形成所述遮光区域,
在所述衬底上,由所述遮光层、所述刻蚀停止层以及所述相移层被除去的部分形成所述透光区域,
在所述衬底上,由残留有所述遮光层并且残留有所述相移层的部分形成所述相移区域。
5.如权利要求4的光掩模,其特征在于,
所述相移层由氧化铬膜构成,所述刻蚀停止层由碳膜构成,所述遮光层由金属铬膜或氮化铬膜的任意一种构成。
6.如权利要求4或5的任意一项的光掩模,其特征在于,
在位于所述遮光区域的所述相移层和所述刻蚀停止层之间,与所述相移层和所述刻蚀停止层紧贴配置有由铬薄膜形成的粘接层,
在所述相移区域,所述粘接层被氧化后的薄膜露出。
7.一种光掩模制造方法,其特征在于,
在透明衬底上形成半透明的相移层,
在所述相移层上,形成由含有碳并且能够燃烧的材料构成的刻蚀停止层,
在所述刻蚀停止层上,形成具有遮光性并且由不刻蚀所述刻蚀停止层的遮光层刻蚀液刻蚀的遮光层,
利用所述遮光层刻蚀液部分地刻蚀除去所述遮光层,形成所述刻蚀停止层在底面露出的多个开口,
将在所述开口底面露出的所述刻蚀停止层与氧进行化和而除去,
由抗蚀剂膜覆盖一部分开口,利用所述相移层刻蚀液刻蚀除去位于其他的开口底面的所述相移层。
8.如权利要求7的光掩模制造方法,其特征在于,
由氧化铬膜构成所述相移层,由碳膜构成所述刻蚀停止层,由金属铬膜或氮化铬膜的任意一种构成所述遮光层。
9.如权利要求7或8的任意一项的光掩模制造方法,其特征在于,
在所述相移层表面形成由铬薄膜构成的粘接层之后,在所述粘接层表面形成所述刻蚀停止层。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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