[发明专利]光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在液晶或PDP等的FPD衬底上形成图形时所使用的相移光掩模的结构及其制造方法。

背景技术

对于现有的相移光掩模来说，一般地是在玻璃衬底上将Cr遮光膜进行成膜，曝光以及刻蚀目的图形，从而进行制作。

近年来，为了较细并且准确地形成图形线宽，在很多情况下利用层叠了Cr遮光膜和Cr的氧化膜或氮化膜即半透光膜(相移膜)的结构，在掩模上形成由大体上对光进行遮光的部分、使光透过一半左右的部分以及大体上使光透过的部分构成的图形。

这在玻璃衬底上首先利用溅射法将Cr遮光膜进行成膜，在其上涂敷抗蚀剂、利用激光照射进行感光后，除去不需要部分的抗蚀剂，形成图形，利用湿法刻蚀除去不需要部分的Cr遮光膜。

然后，经过如下复杂的工序进行制造：利用溅射法在该衬底上将Cr氧化膜或氮化膜即半透光膜再次进行成膜，同样地利用湿法刻蚀除去不需要部分的半透光膜的部分。

因此，多次使用进行各工艺的处理装置，成为颗粒附着在掩模上的几率高并且使成品率恶化的主要原因。

另一方面，考虑如下方法：在玻璃衬底上将半透光膜和遮光膜连续成膜，涂敷抗蚀剂，首先，形成用于形成半透光部的抗蚀剂图形，利用湿法刻蚀，仅对遮光膜进行湿法刻蚀，将抗蚀剂除去之后，形成用于形成透光部的抗蚀剂图形，利用湿法刻蚀除去下层的半透光膜。

专利文献1特开平6-95358号公报

专利文献2特开2007-96295号公报

但是，在上述现有技术的方法中，遮光膜以及半透光膜都是Cr类的材料，所以，遮光膜和半透光膜同时被最初的湿法刻蚀进行了刻蚀，在目的位置形成半透光部是困难的。对未被Cr类的刻蚀液刻蚀的半透光膜材料进行了各种研究，但是还没有结果。

发明内容

为了解决上述课题，本发明提供一种光掩模坯，具有透明衬底和配置在所述透明衬底上的掩模层，其特征在于，所述掩模层具有：配置在所述透明衬底上的半透明的相移层；配置在所述相移层上的刻蚀停止层；以及配置在所述刻蚀停止层上的具有遮光性的遮光层，所述刻蚀停止层由含有碳并且能够燃烧的材料构成，并且，由不被对所述遮光层进行刻蚀的遮光层刻蚀液刻蚀的材料形成。

此外，在本发明的光掩模坯中，所述相移层由氧化铬膜构成，所述刻蚀停止层由碳膜构成，所述遮光层由金属铬膜或氮化铬膜的任意一种构成。

此外，在本发明的光掩模坯中，在所述相移层和所述刻蚀停止层之间，与所述相移层和所述刻蚀停止层紧贴配置有由铬薄膜构成的粘接层。

此外，本发明提供一种光掩模，具有透明衬底和配置在所述透明衬底上的掩模层，在所述掩模层上形成有对曝光光线进行遮光的遮光区域、使所述曝光光线透过的透光区域、使所述曝光光线的相位发生偏移的相移区域，其特征在于，所述掩模层具有：配置在所述透明衬底上的半透明的相移层；配置在所述相移层上的刻蚀停止层；以及配置在所述刻蚀停止层上的具有遮光性的遮光层，所述刻蚀停止层由含有碳并且能够燃烧的材料构成，并且，由不被对所述遮光层进行刻蚀的遮光层刻蚀液刻蚀的材料形成，在所述衬底上，由残留有所述遮光层的部分形成所述遮光区域，在所述衬底上，由所述遮光层、所述刻蚀停止层以及所述相移层被除去的部分形成所述透光区域，在所述衬底上，由残留有所述遮光层并且残留有所述相移层的部分形成所述相移区域。

此外，在本发明的光掩模中，所述相移层由氧化铬膜构成，所述刻蚀停止层由碳膜构成，所述遮光层由金属铬膜或氮化铬膜的任意一种构成。

此外，在本发明的光掩模中，在位于所述遮光区域的所述相移层和所述刻蚀停止层之间，与所述相移层和所述刻蚀停止层紧贴配置有由铬薄膜形成的粘接层，在所述相移区域，所述粘接层被氧化后的薄膜露出。

此外，本发明提供一种光掩模制造方法，在透明衬底上形成半透明的相移层，在所述相移层上，形成由含有碳并且能够燃烧的材料构成的刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上，形成具有遮光性并且由不刻蚀所述刻蚀停止层的遮光层刻蚀液刻蚀的遮光层，利用所述遮光层刻蚀液部分地刻蚀除去所述遮光层，形成所述刻蚀停止层在底面露出的多个开口，将在所述开口底面露出的所述刻蚀停止层与氧进行化和而除去，由抗蚀剂膜覆盖一部分开口，利用所述相移层刻蚀液刻蚀除去位于其他的开口底面的所述相移层。

此外，在本发明的光掩模制造方法中，由氧化铬膜构成所述相移层，由碳膜构成所述刻蚀停止层，由金属铬膜或氮化铬膜的任意一种构成所述遮光层。

此外，在本发明的光掩模制造方法中，在所述相移层表面形成由铬薄膜构成的粘接层之后，在所述粘接层表面形成所述刻蚀停止层。