[发明专利]晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 201010299347.2 | 申请日： | 2010-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102420138A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 制作方法 | ||
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有晶体管的栅极，所述栅极下方的半导体衬底形成沟道区；
对所述栅极进行第一离子注入，在栅极内形成离子掺杂区；
形成覆盖所述栅极和半导体衬底的应力层；
进行退火，在所述沟道区内形成平行于沟道长度方向的应力；
进行刻蚀工艺，去除所述栅极和半导体衬底上的应力层；
在所述栅极两侧形成侧墙；
以所述侧墙为掩膜，进行离子注入，形成晶体管的源/漏区。
2.如权利要求1所述的晶体管制作方法，其特征在于，在栅极两侧形成侧墙前，还包括以栅极为掩膜，进行离子注入，形成晶体管的轻掺杂源/漏区。
3.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一离子注入的离子为锑离子，剂量范围为1E14～1E16cm-2，能量范围为10～500KeV。
4.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一离子注入的离子为锗离子，剂量范围为1E14～1E16cm-2，能量范围为10～500KeV。
5.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一离子注入的离子为碳离子，剂量范围为1E14～1E16cm-2，能量范围为10～500KeV。
6.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一离子注入的离子为硅离子，剂量范围为1E14～1E16cm-2，能量范围为10～500KeV。
7.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火为快速热退火，退火时间为1～300秒，退火温度为800～1100摄氏度。
8.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述应力层的材质为氮化硅。
9.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述应力层的厚度为10～100纳米。
10.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述晶体管为NMOS晶体管，所述应力为拉伸应力。
11.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述晶体管为PMOS晶体管，所述应力为压缩应力。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
