[发明专利]基于纳米助熔剂制备铝酸锶长余辉发光材料的方法无效

专利信息
申请号: 201010300120.5 申请日: 2010-01-08
公开(公告)号: CN101768439A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 肖思国;舒伟;丁建文;阳效良 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64
代理公司: 湘潭市雨湖区创汇知识产权代理事务所 43207 代理人: 左祝安
地址: 411105湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 基于 纳米 熔剂 制备 铝酸锶长 余辉 发光 材料 方法
【权利要求书】:

1.基于纳米助熔剂制备铝酸锶长余辉发光材料的方法,其特征在于它先按液相法制备出 纳米五硼酸铵和硼酸铝粉末,再以纳米五硼酸铵和硼酸铝粉末的引入作为助熔剂和缺陷形成 辅助剂的硼,再在1000-1200℃反应温度下由固相反应制备铝酸锶长余辉材料,其操作步骤 如下:

Ⅰ、在硼酸粉末H3BO3中加入无水乙醇和分散剂聚乙二醇,溶解成溶液A,备用;同时, 在硼酸粉末H3BO3中加入无水乙醇,溶解成溶液B,备用;

Ⅱ、于溶液A中,在搅拌下滴加氨水溶液制得五硼酸铵沉淀;同时,在搅拌下向硝酸铝 晶体中加入无水乙醇和分散剂聚乙二醇配成溶液,并滴加入溶液B制得硼酸铝沉淀;

Ⅲ、将步骤Ⅱ中的五硼酸铵沉淀加入去离子水制得五硼酸铵溶胶凝胶,再经干燥、研磨 制得纳米五硼酸铵粉末NH4B5O8·4H2O作为助熔剂和缺陷形成辅助剂A;

Ⅳ、将步骤Ⅱ中的硼酸铝沉淀经陈化、过滤、洗涤、干燥、研磨制得纳米硼酸铝粉末Al4B2O9作为助熔剂和缺陷形成辅助剂B;

Ⅴ、将助熔剂和缺陷形成辅助剂A与助熔剂和缺陷形成辅助剂B混合制得硼酸盐混合助 熔剂和缺陷形成辅助剂;

Ⅵ、将硼酸盐混合助熔剂和缺陷形成辅助剂与碳酸锶、氧化铝、氧化铕、氧化镝配比称 量,混合研磨,在还原气氛下进行固相反应,得反应产物;

Ⅶ、上述反应产物随炉冷却、取样、粉碎,得到近黄绿色的长余辉铝酸锶产品。

2.根据权利要求1所述的基于纳米助熔剂制备铝酸锶长余辉发光材料的方法,其特征在 于制备步骤Ⅲ的助熔剂和缺陷形成辅助剂A所用原料为H3BO3,NH3·H2O的混合物,该混合物 的组成按摩尔比:H3BO3:NH3·H2O=5:1。

3.根据权利要求1所述的基于纳米助熔剂制备铝酸锶长余辉发光材料的方法,其特征在 于制备步骤Ⅳ的助熔剂和缺陷形成辅助剂B所用原料为H3BO3,Al(NO3)3·9H2O的混合物,该 混合物的组成按摩尔比:H3BO3:Al(NO3)3·9H2O=1:2。

4.根据权利要求1所述的基于纳米助熔剂制备铝酸锶长余辉发光材料的方法,其特征在 于制备步骤Ⅶ的铝酸锶产品所用的原料为SrCO3,Al2O3,Eu2O3,Dy2O3,Al4B2O9,NH4B5O8·4H2O 的混合物,该混合物组成按摩尔比:SrCO3:Al2O3:Al4B2O9:NH4B5O8·4H2O:Eu2O3:Dy2O3=(1-2a-2b): (1-3x-2.5z):(x):(z):(a):(b),其中0.005≤a≤0.01,0.01≤b≤0.02,0.10≤x+2.5z ≤0.15。

5.根据权利要求2所述的基于纳米助熔剂制备铝酸锶长余辉发光材料的方法,其特征在 于制备步骤Ⅲ的助熔剂和缺陷形成辅助剂A所用原料为不低于分析纯级别的硼酸,氨水,无 水乙醇。

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