[发明专利]氢化物沉积制备纳米SnO2材料的方法无效
| 申请号： | 201010500568.1 | 申请日： | 2010-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102030362A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 吕弋;席毛洋;刘睿 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氢化物 沉积 制备 纳米 sno sub 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于氢化物沉积的制备纳米SnO2材料的方法，其特征在于，利用Sn元素的氢化物发生产生的气态SnH4作为前驱物，由氩气流载入到预加热的涂有活性炭的钨丝表面上，通过一段时间的沉积来制备纳米SnO2材料，得到SnO2活性炭复合材料。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将钨丝作为加热沉积装置，活性炭涂覆于钨丝表面，钨丝置于实验室自制的石英罩中，由一台直流电源供电，通过调节电流大小来控制钨丝表面温度。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过调节钨丝表面温度为100-500℃的条件下，可以调节所合成出SnO2纳米材料的形貌。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过调节涂覆有活性炭的钨丝表面沉积时间为5-120分钟，可以调节所合成出SnO2纳米材料的尺寸。
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