[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于：该薄膜晶体管基板的制作方法包括一闸极电极形成步骤、一薄膜晶体管形成步骤，及一画素电极形成步骤，该闸极电极形成步骤是自一基材向上依序形成一第一金属层，及一第一光阻层后，以微影蚀刻制程配合一闸极光罩令第一金属层形成一闸极电极，该薄膜晶体管形成步骤是自该基材，及该闸极电极向上依序形成一绝缘层、一主动半导体层、一掺杂半导体层、一第二金属层、一保护层，及一第二光阻层后，以微影蚀刻制程配合一多灰阶光罩令该第二光阻层形成一遮覆该保护层、该第二金属层、该掺杂半导体层，及该主动半导体层预定结构的图案化光阻层，且该图案化光阻层在对应该闸极电极和该闸极电极相反二侧位置具有不同厚度，接着移除未被该图案化光阻层遮覆的该保护层、该第二金属层、该掺杂半导体层，及该主动半导体层的结构，然后再以该图案化光阻层为遮罩，配合多次蚀刻方式形成一对应该闸极电极上方且令该主动半导体层裸露出的通道，及二位于该通道相反两侧并令该第二金属层裸露的接触窗，制得一对应于该闸极电极的薄膜晶体管结构，该画素电极形成步骤是于该薄膜晶体管结构的预定位置形成一由透明导电材料构成的画素电极，完成该薄膜晶体管基板的制作。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于所述的该画素电极形成步骤是先自该薄膜晶体管结构向上依序形成一透明导电层，及一第三光阻层后，以微影蚀刻制程令该透明导电层于预定位置形成该画素电极，再将该具有非晶结构的画素电极进行回火，令非晶结构转变为结晶结构。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于所述的该画素电极形成步骤是先自该薄膜晶体管结构表面形成一由透明导电材料构成且具有非晶结构的透明导电层，再以雷射退火方式将该透明导电层预定位置的结构由非晶结构转变成多晶结构，接着将该透明导电层的非晶结构蚀刻移除，令该残留的透明导电层于预定位置形成一画素电极，制得该薄膜晶体管基板。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于所述的该画素电极形成步骤是先自该薄膜晶体管结构表面形成一由透明导电材料构成且具有非晶结构的透明导电层，再利用雷射移除方式将该透明导电层的预定结构移除，令残留的透明导电层于预定位置形成一画素电极，制得该薄膜晶体管基板。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于所述的该薄膜晶体管形成步骤中的该多灰阶光罩具有一完全透光灰阶、一完全不透光灰阶，及至少二不同透光度的透光灰阶。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于所述的该薄膜晶体管形成步骤的该绝缘层、该主动半导体层、该掺杂半导体层，及该保护层是由化学沉积方式形成，该第二金属层是以溅镀方式形成，且用以进行化学沉积及溅镀的设备为彼此相邻设置。

7.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于：该薄膜晶体管基板的制作方法包括一闸极电极形成步骤、一薄膜晶体管形成步骤，及一画素电极形成步骤，该闸极电极形成步骤是自一基材向上依序形成一第一金属层，及一第一光阻层后，以微影蚀刻制程配合一闸极光罩令第一金属层形成相间隔的一闸极电极，及一第一电极，该薄膜晶体管形成步骤是自该基材、该闸极电极，及该第一电极表面向上依序形成一绝缘层、一主动半导体层、一掺杂半导体层、一第二金属层、一保护层，及一第二光阻层后，以微影蚀刻制程配合一多灰阶光罩令该第二光阻层形成一遮覆该保护层、该第二金属层、该掺杂半导体层，及该主动半导体层的预定结构，且对应该闸极电极、该闸极电极相反二侧位置，及该第一电极具有不同厚度的图案化光阻层，接着移除未被该图案化光阻层遮覆的该保护层、该第二金属层、该掺杂半导体层，及该主动半导体层的结构，然后以该图案化光阻层为屏蔽，配合多次蚀刻方式将对应于该第一电极上方的该保护层结构移除，形成一对应该闸极电极上方且令该主动半导体层裸露出的通道，及二位于该通道相反两侧并令该第二金属层裸露的接触窗，而制得一对应于该闸极电极的薄膜晶体管结构，及一对应于该第一电极的介电结构，该画素电极形成步骤，于该薄膜电晶体结构的预定位置形成一由透明导电材料构成的画素电极。