[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

馈送了电源电压的供给焊盘；

电连接到所述供给焊盘的供给导体；

输入/输出焊盘，经过该输入/输出焊盘从外部馈送信号或将信号馈送到外部；

静电保护器件，它电连接到所述输入/输出焊盘并经过所述供给导体电连接到所述供给焊盘；和

经过信号导体电连接到所述输入/输出焊盘的内部电路，

其中，

供给导体具有四个拐角，被布置为围绕输入/输出焊盘和内部电路，并且在四个拐角处以小于90度的角度弯曲；和

输入/输出焊盘通过在输入/输出焊盘下方提供的金属膜连接到静电保护器件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述供给焊盘包括被馈送第一电源电压的第一供给焊盘和被馈送不同于第一电源电压的第二电源电压的第二供给焊盘，

所述供给导体包括电连接到所述第一供给焊盘的第一供给导体和电连接到所述第二供给焊盘的第二供给导体，

静电保护器件经过所述第一供给导体电连接到所述第一供给焊盘，并且还经过所述第二供给导体电连接到所述第二供给焊盘，和

第一供给导体和第二供给导体中的至少一个具有四个拐角，被布置为围绕输入/输出焊盘和内部电路，并且在四个拐角处以小于90度的角度弯曲。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

供给导体具有在四个拐角处被切割的拐角部分，和

当供给导体的宽度为W时，拐角处切口的宽度在1.5W到2.0W范围内。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

第一供给导体和第二供给导体中具有四个拐角的至少一个供给导体具有在四个拐角处被切割的拐角部分，和

当第一供给导体或第二供给导体的宽度为W时，四个拐角处切口的宽度在1.5W到2.0W范围内。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

静电保护器件包括：

第一保护二极管，具有连接到第一供给导体的负极；和

第二保护二极管，具有连接到第二供给导体的正极，并且

第一保护二极管的正极和第二保护二极管的负极连接到输入/输出焊盘。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

硅衬底；

P型阱和N型阱，形成在硅衬底的上部；

n个金属导体层；

N型扩散层，形成在P型阱的上部并且连接到n个金属导体层中的最下层；以及

P型扩散层，形成在N型阱的上部并且连接到n个金属导体层中的最下层，

其中，

第一保护二极管由P型扩散层与N型阱之间的PN结形成，第二保护二极管由N型扩散层与P型阱之间的PN结形成，和

n是大于或等于2的整数。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，

所述静电保护器件、所述输入/输出焊盘和所述内部电路按从半导体器件的边缘向中心的顺序排列。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述半导体器件具有包括n个金属导体层的多导体层结构，

所述供给导体是通过使用这n个金属导体层中具有最小的表面电阻值的至少一个金属导体层来形成的，和

n是大于或等于2的整数。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述半导体器件具有包括n个金属导体层的多导体层结构，

所述第一供给导体和第二供给导体是通过使用这n个金属导体层中具有最小的表面电阻值的至少一个金属导体层来形成的，和

n是大于或等于2的整数。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述半导体器件具有包括n个金属导体层的多导体层结构，

所述供给导体是通过使用这n个金属导体层中除了最下层以外的任何金属导体层形成的，和

n是大于或等于2的整数。

11.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述半导体器件具有包括n个金属导体层的多导体层结构，

所述第一供给导体和第二供给导体是通过使用这n个金属导体层中除了最下层以外的任何金属导体层形成的，和

n是大于或等于2的整数。