[发明专利]光半导体元件的制造方法、及该元件保护层形成用组合物

权利要求书

1.一种光半导体元件的制造方法，其特征在于，是含有基板和形成于该基板上的半导体层的光半导体元件的制造方法，该方法包含以下工序：

向在基板上形成的半导体层的表面涂布保护层形成用组合物，从而形成保护层的保护层形成工序；

从所述保护层的上方照射激光，从而形成比所述保护层和半导体层的厚度之和深的1个以上分离沟槽的分离沟槽形成工序；以及

除去在形成所述分离沟槽时生成的附着物的附着物除去工序，

所述保护层形成用组合物含有硅氧烷系聚合物以及有机溶剂。

2.如权利要求1所述的光半导体元件的制造方法，其中，包含在所述附着物除去工序之后，除去所述保护层的保护层除去工序。

3.如权利要求1或2中所述的光半导体元件的制造方法，其中，作为最后的工序，包含通过所述1个以上分离沟槽将基板分离成元件单元的基板分离工序。

4.如权利要求1～3中任一项所述的光半导体元件的制造方法，其中，包含在所述保护层形成工序之前，在包括形成所述分离沟槽的位置的所述半导体层的区域上，按照具有比所述分离沟槽大的宽度的方式形成比所述分离沟槽浅的凹部的凹部形成工序。

5.如权利要求1～4中任一项所述的光半导体元件的制造方法，其中，所述硅氧烷系聚合物是将含有选自下述通式(1)表示的化合物、下述通式(2)表示的化合物、以及水解性聚碳硅烷中的至少一种的硅烷化合物进行水解缩合从而得到的水解缩合物，

R¹_cSiX¹_4-c  ·····(1)

式中，R¹表示1价的非水解性基团，X¹表示1价的水解性基团，c表示0～2的整数，

R²_b(X²)_3-bSi-R⁴-Si(X³)_3-cR³_c  ·····(2)

式中，R²、R³相同或不同，各自表示1价的非水解性基团，R⁴表示2价的非水解性基团，X²、X³相同或不同，各自表示1价的水解性基团，b以及c相同或不同，表示0～2的整数。

6.如权利要求1～5中任一项所述的光半导体元件的制造方法，其中，所述硅氧烷系聚合物的重均分子量是1000～30000。

7.如权利要求1～6中任一项所述的光半导体元件的制造方法，其中，所述保护层形成用组合物，相对于100质量份所述硅氧烷系聚合物，含有0.001～10质量份的碱金属化合物或碱土金属化合物。

8.如权利要求1～7中任一项所述的光半导体元件的制造方法，其中，所述保护层形成用组合物含有氧化硅粒子。

9.一种光半导体元件保护层形成用组合物，其特征在于，用于形成在制造光半导体元件的过程中在半导体层的表面暂时形成的保护层，含有硅氧烷系聚合物以及有机溶剂。

10.如权利要求9中所述的光半导体元件保护层形成用组合物，其中，所述硅氧烷系聚合物是将含有选自下述通式(1)表示的化合物、下述通式(2)表示的化合物、以及水解性聚碳硅烷中的至少一种的硅烷化合物进行水解缩合从而得到的水解缩合物，

R¹_cSiX¹_4-c  ·····(1)

式中，R¹表示1价的非水解性基团，X¹表示1价的水解性基团，c表示0～2的整数，

R²_b(X²)_3-bSi-R⁴-Si(X³)_3-cR³_c  ·····(2)

式中，R²、R³相同或不同，各自表示1价的非水解性基团，R⁴表示2价的非水解性基团，X²、X³相同或不同，各自表示1价的水解性基团，b以及c相同或不同，表示0～2的整数。