[发明专利]光半导体元件的制造方法、及该元件保护层形成用组合物

说明书

技术领域

本发明涉及光半导体元件的制造方法、以及光半导体元件保护层形成用组合物。

背景技术

公知在光半导体元件的制造过程中，在用激光形成分离沟槽以前，形成保护层(保护膜)的技术。

作为一例，在将在基板上形成的第III族氮化物系化合物半导体元件进行分离从而得到一个一个的第III族氮化物系化合物半导体元件的制造方法中，提出了第III族氮化物系化合物半导体元件的制造方法，其特征在于：具有以下工序：成为分离线上的第III族氮化物系化合物半导体层仅残留靠近上述基板一侧的电极形成层的状态、或者成为没有分离线上的第III族氮化物系化合物半导体层的状态的半导体层除去工序；形成覆盖基板表层、且通过后续工序能够除去的保护膜的保护膜形成工序；沿着分离线扫描激光束从而形成分离沟槽的激光扫描工序；除去上述保护膜和由激光束扫描产生的不需要物的保护膜等除去工序，使沿着分离线用由激光束扫描形成的分离沟槽将基板逐个元件地进行分离，从而制出一个一个的第III族氮化物系化合物半导体元件(专利文献1)。

该文献记载的方法，通过形成保护膜，可防止因激光扫描产生的熔融物等附着于半导体元件，另外，可防止因激光扫描发生的光半导体元件的断裂、缺损。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-31526号公报

发明内容

在形成上述分离沟槽时生成的熔融物等附着物例如可以用酸除去。这时，就希望在半导体层的表面形成的保护层对酸的耐性(耐酸性)要高。另外，希望保护层耐断裂性优异。其理由是，假如生成裂纹，酸就会浸透进裂纹，从而使保护层下方的半导体层受到不良影响。

这样，就期望耐酸性和耐断裂性优异的保护层。但是，在上述的专利文献1中，完全没有记载保护层的材料的具体例。因此，本发明人对保护层的材料进行了研究，结果，从以往的文献中未能发现能够形成耐酸性和耐断裂性优异的保护层的材料。

因此，本发明的目的在于提供，即使为了除去在形成用于分离成元件单元的分离沟槽时产生的附着物而使用酸的情况下，也不会对半导体层造成不良影响，并且耐酸性以及耐断裂性优异的保护层形成用组合物，以及使用该组合物的光半导体元件的制造方法。

本发明人发现通过使用特定的材料形成保护层，能够达到上述的目的，进而完成本发明。

即，本发明提供以下[1]～[10]的方案。

[1]一种光半导体元件的制造方法，其特征在于，是含有基板和形成于该基板上的半导体层的光半导体元件的制造方法，该方法包含以下工序：向在基板上形成的半导体层的表面涂布保护层形成用组合物，从而形成保护层的保护层形成工序；从所述保护层的上方照射激光，从而形成比所述保护层和半导体层的厚度之和深的1个以上分离沟槽的分离沟槽形成工序；以及除去在形成所述分离沟槽时生成的附着物的附着物除去工序，其中，所述保护层形成用组合物含有硅氧烷系聚合物以及有机溶剂。

[2]如上述1所述的光半导体元件的制造方法，其中，包含在所述附着物除去工序之后，除去所述保护层的保护层除去工序。

[3]如上述1或2中所述的光半导体元件的制造方法，其中，作为最后的工序，包含通过所述1个以上分离沟槽将基板分离成元件单元的基板分离工序。

[4]如上述1～3中任一项所述的光半导体元件的制造方法，其中，包含以下的凹部形成工序：在所述保护层形成工序之前，在包括形成所述分离沟槽的位置的所述半导体层的区域上，按照具有比所述分离沟槽大的宽度的方式形成比所述分离沟槽浅的凹部。

[5]如上述1～4中任一项所述的光半导体元件的制造方法，其中，所述硅氧烷系聚合物是将含有选自下述通式(1)表示的化合物、下述通式(2)表示的化合物、以及水解性聚碳硅烷中的至少一种的硅烷化合物进行水解缩合从而得到的水解缩合物。

R¹_cSiX¹_4-c  ·····(1)

(式中，R¹表示1价的非水解性基团，X¹表示1价的水解性基团，c表示0～2的整数。)

R²_b(X²)_3-bSi-R⁴-Si(X³)_3-cR³_c   ·····(2)