[发明专利]半导体装置的金属电极的形成方法以及金属电极形成设备

权利要求书

1.一种半导体装置(10)的金属电极(15)的形成方法，包括：

在半导体衬底(11)的主表面(11a)上形成床电极(12)，以使得所述床电极(12)与半导体元件电连接；

形成覆盖所述床电极(12)的保护膜(13)，且接着在所述保护膜(13)中形成开口(13a)，以使得所述床电极(12)的表面(12a)暴露在所述开口(13a)中；

形成覆盖所述保护膜(13)和暴露在所述开(13a)中所述床电极(12)的所述表面(12a)的金属膜(14)；

将具有所述金属膜(14)的所述半导体衬底(11)安装至吸附台(21b)上，以使得所述半导体衬底(11)被吸附并固定在所述吸附台(21b)上；

在所述半导体衬底(11)被吸附并固定在所述吸附台(21b)上后通过令表面形状测量装置(23)测量所述半导体衬底(11)的表面形状来获取关于所述半导体衬底(11)的表面部分(11c)的表面形状的数据，其中所述半导体衬底(11)的表面部分(11c)是所述金属膜(14)的一部分，该部分覆盖所述金属膜(13)，其中所述表面形状测量装置(23)位于所述半导体衬底(11)的主表面(11a)一侧；

通过使变形装置(24、24a)经由所述吸附台(21b)向所述固定半导体衬底(11)施加位移而基于所获取的关于所述表面形状的数据使所述半导体衬底(11)变形，以使得切削平面(P)与所述半导体衬底(11)的所述表面部分(11c)之间的距离落入预定范围内，其中所述切削平面(P)被设定为使得变形前所述吸附台(21b)与所述切削平面(P)平行；

通过使所述表面形状测量装置(23)测量所述变形的半导体衬底(11)的所述表面部分(11c)的表面形状来判定所述切削平面(P)与所述变形的半导体衬底(11)的所述表面部分(11c)之间的所述距离是否位于所述预定范围内；

当判定所述切削平面(P)与所述变形的半导体衬底(11)的所述表面部分(11c)之间的所述距离位于所述预定范围内时，通过图案化所述金属膜(14)形成金属电极(15)，其中图案化所述金属膜(14)包括在所述变形的半导体衬底(11)被吸附并固定至所述吸附台(21b)上的同时沿着所述切削平面(P)进行切削加1；

使用多个致动器(24a)作为所述变形装置(24、24a)，所述多个致动器(24a)的各自的位移是可控的；以及

配置所述多个致动器(24a)，以使得

所述多个致动器(24a)抵靠所述吸附台(21b)的后表面(21g)，以经由所述吸附台(21b)向所述半导体衬底(11)施加所述位移；且

所述多个致动器(24a)的间距大于所述半导体衬底(11)的厚度分布的空间频率的最小波长的一半且小于或等于所述最小波长。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于：

所述使所述半导体衬底(11)变形包括：

起伏判定步骤，其基于所述表面形状测量装置(23)获取的关于所述表面形状的数据判定所述半导体衬底(11)是否具有起伏区域(11u)，所述起伏区域(11u)位于所述预定范围外具有对应于所述最小波长的一半或小于所述最小波长的一半的起伏；

局部变形步骤，其通过使用对应于所述起伏区域(11u)的所述多个致动器(24a)中的一个或多个使所述起伏区域(11u)变形，以使得所述起伏区域(11u)落入所述预定区域内，其中当判定所述半导体衬底(11)具有所述起伏区域(11u)时执行所述局部变形步骤；以及

整体变形步骤，其以如下方式使所述半导体衬底(11)变形：

当判定所述半导体衬底(11)不具有所述起伏区域(11u)时，所述半导体衬底(11)基于关于所述表面形状的所述数据整体变形，以使得所述切削平面(P)与所述半导体衬底(11)的所述表面部分(11c)之间的所述距离落入所述预定范围内；以及

当判定所述半导体衬底(11)具有所述起伏区域(11u)时，(i)利用所述表面形状测量装置(23)测量在所述局部变形步骤中变形的所述半导体衬底(11)的所述表面部分(11c)的所述表面形状，以获取所述局部变形步骤进行后的测量数据，和(ii)所述半导体衬底(11)基于所述测量数据整体变形，以使得所述切削平面(P)与所述半导体衬底(11)的所述表面部分(11c)之间的所述距离落入所述预定范围内。