[发明专利]半导体工艺设备组件和部件的兆声精密清洁有效
申请号: | 201010503408.2 | 申请日: | 2007-12-11 |
公开(公告)号: | CN101947526A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 尹遥波;琳达·简 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | B08B3/12 | 分类号: | B08B3/12;H01L21/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 周文强;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 组件 部件 精密 清洁 | ||
本申请是申请号为200780047398.2,名称为“半导体工艺设备组件和部件的兆声精密清洁”,申请人为朗姆研究公司的中国专利申请的分案申请。
技术领域
[0001]本发明大体上有关于对处理和制造设备的精密清洁,尤其是,有关于使用兆声能量和选择性的清洁剂来清洁电子器件处理和制造设备以及其他类型的处理和制造设备等的装置和方法。
背景技术
在电子器件制造过程中,兆声清洁(megasonic cleaning)被广泛应用去除半导体晶片、磁性媒体等的微粒污染,以减轻微粒污染对晶片产量与器件可靠性的不利影响。然而,有关半导体晶片、磁性媒体和用于处理这些半导体晶片、磁性媒体的各部件、设备或者工具等之间的微粒和微量金属的交叉污染的担忧持续存在。
[0002]传统上,在电子器件制造过程中使用的对处理部件、设备和工具等的清洁是使用低频(小于75KHz)超声波精密清洁方法完成的。然而,随着半导体晶片等的临界尺寸的持续减小和沉积在处理部件、设备和工具等的表面的亚微米微粒(例如0.1μm-0.5μm)的数量的增长,低频超声波清洁技术不再能够从处理部件、设备、工具等中有效地清除亚微米微粒,这极大地影响了晶片生产线的产量和器件的产量等。
[0003]鉴于上述情况,需要提供一种施加兆声能量以有效地从半导体工艺设备元件等的表面去除亚微米微粒污染的途径。
发明内容
[0004]在一个实施方式中,本发明提供清洁处理元件的装置。该装置包含具有空腔的槽,该空腔由底部和一个或多个从该底部延伸的侧壁和面对该底部的开口限定。该槽被配置为在该空腔内容纳一定量的流体以浸泡该处理元件。该装置进一步包含板组件,其中该板组件能够在该处理元件的表面的上方移动并且产生与大体上垂直于该处理部件的该表面的方向有关的高频兆声能量。
[0005]在另一个实施方式中,本发明提供清洁处理元件的装置。该装置包含具有载体元件的处理室,其中该载体元件能够支撑该处理室内的该处理元件。该装置进一步包含流体供应组件,该流体供应组件能够向该处理元件的表面供应流体。该装置还包含波束组件,该波束组件能够产生高频兆声声波能量波束,其中该声波能量波束被应用于该处理元件的表面
[0006]在再一个实施方式中,本发明提供清洁处理元件的装置。该装置包含具有载体元件的处理室,其中该载体元件能够支撑该处理室内的该处理元件。该装置进一步包含喷管组件,该喷管组件能够向该处理元件供应超声能量化的流体。
[0007]从下面结合实施方式和以实施例的方式描绘本发明原理的附图进行的具体描述中,本发明的其他特征也会变得显而易见。
附图说明
[0008]通过下面的描述,并参考附图,可以更好的理解本发明及其进一步的优点,其中:
[0009]图1是描述在部件的表面施加兆声能量带来的围绕处理中的元件的选择性表面的静态流体边界内形成的微涌力的侧视图;
[0010]图2A是描绘,依照本发明的一个实施方式,包括扫描兆声板的兆声精密清洁装置的横断面视图;
[0011]图2B是描绘图2A所示的兆声精密清洁装置的一个替代实施方式的横断面视图;
[0012]图3A是描绘,依照本发明的一个实施方式,包括扫描兆声波束的兆声精密清洁装置的横断面视图;
[0013]图3B是描绘,依照本发明的一个替代实施方式,包括扫描兆声射线的兆声精密清洁装置的横断面视图;
[0014]图4是描绘,依照本发明的一个实施方式,包括兆声喷管的兆声精密清洁装置的横断面视图;以及
[0015]图5是描绘,依照本发明的一个实施方式,包括替代的兆声喷管的兆声精密清洁装置的横断面视图。
具体实施方式
[0016]本发明的实施方式提供了施加兆声能量以有效地从电子器件处理部件、元件、工具等或任何其它的虽然不是基板或晶片,但是可能遭受有机或无机的亚微米微粒污染的部件、元件、工具等中除去亚微米微粒污染的系统、装置和方法。尤其是,本发明的实施方式提供一种使用高频兆声能量(大约600kHz-2MHz)和选择性的清洁剂(例如化学品、流体等)结合各种清洁装置以从处理部件、元件、工具等的表面除去亚微米微粒的途径。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010503408.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。