[发明专利]发光二极管封装结构的形成方法无效

专利信息
申请号: 201010503798.3 申请日: 2010-10-14
公开(公告)号: CN102447038A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 张超雄;胡必强 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构的形成方法,其包括以下几个步骤:

提供一发光二极管封装基板,其相对的上表面和下表面分别形成多条相交的切割线,所述切割线将所述发光二极管封装基板均匀分割成多个单片;

在所述切割线的交点处开设贯通所述发光二极管封装基板上表面及下表面的通孔;

在所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的上下两端沿所述切割线分别开设切口;

将多个发光二极管晶粒分别设置在所述每个单片上;

利用一遮盖板遮盖在所述发光二极管封装基板上,所述遮盖板对应所述每个单片开设有开孔;

通过所述遮盖板的开孔在所述每个单片上形成封装层;

沿着所述切割线分别剥离下每个单片,从而形成多个发光二极管封装结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的形成方法,其特征在于:所述基板为陶瓷基板。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的形成方法,其特征在于:所述每个单片都开设有凹槽,所述遮盖板的开孔对应所述凹槽。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的形成方法,其特征在于:所述凹槽中设置有上电极,在所述基板的下表面上设置有与所述上电极相对应的下电极,所述上电极与所述下电极彼此电性连接,所述发光二极管晶粒设置在所述凹槽中,其与所述上电极电性连接。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的形成方法,其特征在于:所述切口与所述切割线连通,并在垂直所述发光二极管封装基板的方向上呈“V”字型。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的形成方法,其特征在于:所述封装胶体由环氧树脂、硅树脂或者是两者组合材料构成。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的形成方法,其特征在于:所述封装胶体中还包括有荧光粉,所述荧光粉为石榴石结构化合物、硅酸盐、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或前述材料的组合。

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