[发明专利]用于检测芯片温度变化的器件有效
| 申请号： | 201010504538.8 | 申请日： | 2010-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102042882A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·里弗罗 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(胡希)公司 |
| 主分类号： | G01K7/16 | 分类号： | G01K7/16 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张春媛;阎娬斌 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 检测 芯片 温度 变化 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种用来检测集成电路芯片衬底温度变化的器件，其包括，衬底中的注入电阻(31，33，35，37；41，43，45，47)，该注入电阻连接成惠特斯通桥，其中该桥中两个第一相对的电阻(35，37；45，47)中的每一个由与第一方向平行的金属线阵列(21)所覆盖，该第一方向定义为，衬底应力沿此方向的变化会导致该桥中不平衡值(VOUT)的变化。
2.如权利要求1中的器件，其中桥中两个第二相对的电阻(41，43)中的每一个由与第二方向平行的金属线阵列所覆盖，该第二方向垂直于第一方向。
3.如权利要求1中的器件，其中两个第一相对的电阻(35，37)具有顶视图为平行的长方条的形状，金属线(21)沿所述条的长度方向延伸。
4.如权利要求2中的器件，其中注入电阻(41，43，45，47)具有顶视图为正方形的形状。
5.如权利要求1中的器件，其中注入电阻包含在第二导电类型区域中所制成的第一导电类型的掺杂区域。
6.如权利要求1中的器件，其中金属线由铜制成。
7.如权利要求1中的器件，其中金属线由铝制成。
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