[发明专利]光刻胶涂覆监控方法有效

专利信息
申请号: 201010504710.X 申请日: 2010-10-12
公开(公告)号: CN102044463A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 于世瑞 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 光刻 胶涂覆 监控 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻胶涂覆监控方法,其特征在于,包括:

光刻胶涂覆步骤,用于以第一光刻胶涂覆量在第一硅片上涂覆光刻胶;以及条纹检查监控步骤,用于检查光刻胶涂覆步骤所得到的第一硅片的涂覆有光刻胶的表面是否存在条纹。

2.根据权利要求1所述的光刻胶涂覆监控方法,其特征在于,其中在所述条纹检查监控步骤中,通过在显微镜下观察来检查光刻胶涂覆步骤所得到的第一硅片的涂覆有光刻胶的表面是否存在条纹。

3.根据权利要求1或2所述的光刻胶涂覆监控方法,其特征在于,所述光刻胶涂覆监控方法还包括:当所述条纹检查监控步骤中没有检查出条纹时执行光刻胶涂敷量确定步骤,将所述第一光刻胶涂覆量确定为最终的光刻胶涂敷量。

4.根据权利要求1或2所述的光刻胶涂覆监控方法,其特征在于,所述光刻胶涂覆监控方法还包括:当所述条纹检查监控步骤中检查出条纹时执行光刻胶涂敷量确定步骤,所述光刻胶涂敷量确定步骤用于确定最终的光刻胶涂敷量。

5.根据权利要求4所述的光刻胶涂覆监控方法,其特征在于,所述光刻胶涂敷量确定步骤包括:

将所述第一光刻胶涂覆量加上体积变化量之和作为第二光刻胶涂覆量,并且以第二光刻胶涂覆量在第二硅片上涂覆光刻胶;以及检查所得到的第二硅片的涂覆有光刻胶的表面是否存在条纹。

6.一种光刻胶涂覆监控方法,其特征在于,包括:

光刻胶涂覆量设置步骤,用于设置依次增大的N个光刻胶涂覆量;

光刻胶总体涂覆步骤,用于以所述依次增大的多个光刻胶涂覆量来分别对N个硅片涂覆光刻胶,N为大于1的整数;以及

条纹总体检查步骤,用于依次检查光刻胶总体涂覆步骤所得到的所述N个硅片的涂覆有光刻胶的表面是否存在条纹。

7.根据权利要求6所述的光刻胶涂覆监控方法,其特征在于,所述光刻胶涂覆监控方法还包括:将最先检查出的不存在条纹的硅片的光刻胶涂覆量确定为最终的光刻胶涂覆量。

8.根据权利要求6或7所述的光刻胶涂覆监控方法,其特征在于,在所述条纹总体检查步骤中,通过在显微镜下观察来检查所述N个硅片的涂覆有光刻胶的表面是否存在条纹。

9.根据权利要求6或7所述的光刻胶涂覆监控方法,其特征在于,其中所述依次增大的N个光刻胶涂覆量中任意相邻的两个光刻胶涂覆量之差是固定的。

10.根据权利要求10所述的光刻胶涂覆监控方法,其特征在于,其中所述依次增大的N个光刻胶涂覆量中任意相邻的两个光刻胶涂覆量之差是可调节的。

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