[发明专利]光刻胶涂覆监控方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，具体地说，本发明涉及一种光刻胶涂覆监控方法。

背景技术

在集成电路制造过程中，为了得到半导体器件，在工艺过程中不可避免地需要涂覆光刻胶(也称为光致抗蚀剂)以便对半导体材料进行刻蚀。在光刻胶的涂覆过程中，对光刻胶涂覆量或光刻胶涂覆体积的控制是很关键的，这是因为光刻胶的涂覆效果直接影响到后面的刻蚀工艺所得到的半导体层的图案，而这又直接影响到后续得到的半导体器件的性能。

在现有技术中，为了控制光刻胶涂覆量或光刻胶涂覆体积，一般首先确定所需要的光刻胶的体积，然后采用例如量筒之类的体积测量工具来测量得到期望体积量的光刻胶。

但是，在这样的方法中，存在一些缺陷。具体地说，一方面，对于所需要的光刻胶的体积，往往只能根据大概计算或者经验来确定一个期望的光刻胶体积量，而实际上并不能保证这个期望的光刻胶体积量符合工艺实际；另一方面，诸如量筒之类的体积测量工具往往存在一定的测量偏差，这又为实际的光刻胶涂覆带来了一些不确定因素。此外，这种利益量筒之类的体积测量工具对预计的光刻胶涂覆量进行测量的方法较为复杂。

因此，希望能够提出一种简单的能够精确地控制光刻胶涂覆效果的监控方法。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种简单的能够精确地控制光刻胶涂覆效果的监控方法。

因此，根据本发明的一个方面，提供了一种光刻胶涂覆监控方法包括：光刻胶涂覆步骤，用于以第一光刻胶涂覆量在第一硅片上涂覆光刻胶；以及条纹检查监控步骤，用于检查光刻胶涂覆步骤所得到的第一硅片的涂覆有光刻胶的表面是否存在条纹。

实际上，发明人有利地发现，当光刻胶涂覆量不足的时候，通过在显微镜下观察涂覆了光刻胶之后的半导体硅片表面，会发现细长的条纹；相反，如果光刻胶涂覆量或者说光刻胶涂覆体积足够，则不会发现这种细长的条纹。根据这一特性，可以通过检查硅片表面是否存在条纹这一很简单的方式，来很精确地判断光刻胶涂覆量(光刻胶涂覆体积)是否足够，从而能够精确地控制光刻胶涂覆效果。

在上述光刻胶涂覆监控方法中，在所述条纹检查监控步骤中，通过在显微镜下观察来检查光刻胶涂覆步骤所得到的第一硅片的涂覆有光刻胶的表面是否存在条纹。

在上述光刻胶涂覆监控方法中，所述光刻胶涂覆监控方法还包括：当所述条纹检查监控步骤中没有检查出条纹时执行光刻胶涂敷量确定步骤，将所述第一光刻胶涂覆量确定为最终的光刻胶涂敷量。此处，“最终的光刻胶涂敷量”例如表示在当前工艺条件下，对于所期望的光刻胶图案而言合适的光刻胶涂覆量(光刻胶涂覆体积)。

在上述光刻胶涂覆监控方法中，所述光刻胶涂覆监控方法还包括：当所述条纹检查监控步骤中检查出条纹时执行光刻胶涂敷量确定步骤，所述光刻胶涂敷量确定步骤用于确定最终的光刻胶涂敷量。

在上述光刻胶涂覆监控方法中，所述光刻胶涂敷量确定步骤包括：将所述第一光刻胶涂覆量加上体积变化量之和作为第二光刻胶涂覆量，并且以第二光刻胶涂覆量在第二硅片上涂覆光刻胶；以及检查所得到的第二硅片的涂覆有光刻胶的表面是否存在条纹。

根据本发明的另一方面，提供了一种光刻胶涂覆监控方法，包括：光刻胶涂覆量设置步骤，用于设置依次增大的N个光刻胶涂覆量；光刻胶总体涂覆步骤，用于以所述依次增大的多个光刻胶涂覆量来分别对N个硅片涂覆光刻胶，N为大于1的整数；以及条纹总体检查步骤，用于依次检查光刻胶总体涂覆步骤所得到的所述N个硅片的涂覆有光刻胶的表面是否存在条纹。

在上述光刻胶涂覆监控方法中，所述光刻胶涂覆监控方法还包括：将最先检查出的不存在条纹的硅片的光刻胶涂覆量确定为最终的光刻胶涂覆量。

在上述光刻胶涂覆监控方法中，在所述条纹总体检查步骤中，通过在显微镜下观察来检查所述N个硅片的涂覆有光刻胶的表面是否存在条纹。

在上述光刻胶涂覆监控方法中，所述依次增大的N个光刻胶涂覆量中任意相邻的两个光刻胶涂覆量之差是固定的。

在上述光刻胶涂覆监控方法中，所述依次增大的N个光刻胶涂覆量中任意相邻的两个光刻胶涂覆量之差是可调节的。这样，可通过调节体积变化量来控制监控精度。

附图说明

图1示出了根据本发明的一个实施例的光刻胶涂覆监控方法的流程图。

图2示出了光刻胶涂覆量足够时在显微镜下观察到的硅片表面示意图。

图3示出了光刻胶涂覆量不足时在显微镜下观察到的硅片表面示意图。

图4示出了根据本发明的另一实施例的光刻胶涂覆监控方法的流程图。

图5示出了图4所示的流程获得的表格。