[发明专利]有机发光二极管显示设备及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示设备，包括：

多条扫描线；

与所述多条扫描线交叉的多条数据线；以及

位于所述多条扫描线与所述多条数据线的交叉区域的多个像素，

其中所述多个像素中的每个像素包括：

有机发光二极管；

开关晶体管，包括连接到所述多条扫描线之一的栅电极和连接到所述多条数据线之一的第一电极；

驱动晶体管，连接在所述有机发光二极管与电压源供应线之间，且包括半导体层和连接到所述开关晶体管的第二电极的栅电极；以及

电容器，连接在所述驱动晶体管的栅电极与所述电压源供应线之间，

其中所述多个像素中沿所述多条扫描线或所述多条数据线设置的相邻两个像素的驱动晶体管的半导体层沿不同的长度方向延伸。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中：

所述开关晶体管进一步包括半导体层，

所述开关晶体管的半导体层包括源极区域和漏极区域以及沟道区域，

所述开关晶体管的栅电极位于与所述开关晶体管的半导体层的沟道区域对应的位置，并且

所述开关晶体管进一步包括：

源电极和漏电极，分别连接到所述开关晶体管的半导体层的源极区域和漏极区域；以及

位于所述开关晶体管的半导体层与所述开关晶体管的栅电极之间的栅极绝缘层，

所述驱动晶体管的半导体层包括源极区域和漏极区域以及沟道区域，

所述驱动晶体管的栅电极位于与所述驱动晶体管的半导体层的沟道区域对应的位置，并且

所述驱动晶体管进一步包括：

源电极和漏电极，分别连接到所述驱动晶体管的半导体层的源极区域和漏极区域；以及

位于所述驱动晶体管的半导体层与所述驱动晶体管的栅电极之间的栅极绝缘层。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示设备，其中所述开关晶体管和所述驱动晶体管具有相同的结构。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中所述多个像素中沿所述多条扫描线或所述多条数据线的相邻两个像素的驱动晶体管的半导体层沿不同的长度方向延伸，并且具有不同的长度方向的相邻像素中的任意相邻两个像素的驱动晶体管的半导体层的长度方向之间的角度差彼此相同。

5.根据权利要求1或4所述的有机发光二极管显示设备，其中所述多个像素中沿所述多条扫描线或所述多条数据线设置的任意相邻两个像素的驱动晶体管的半导体层沿不同的长度方向延伸。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中所述开关晶体管的半导体层和所述驱动晶体管的半导体层利用通过激光束结晶的多晶硅来形成。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示设备，其中所述开关晶体管的半导体层和所述驱动晶体管的半导体层具有以平行于所述多条扫描线或所述多条数据线的方式形成的晶粒界面。

8.一种有机发光二极管显示设备，包括：

多个像素，位于多条数据线和多条扫描线的交叉区域，数据信号从数据驱动器通过所述多条数据线来传送，扫描信号从扫描驱动器通过所述多条扫描线来传送，所述多个像素中的每个像素包括：

由多个薄膜晶体管控制的有机发光二极管，所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管包括：

半导体层；

栅极绝缘层；

源电极和漏电极；以及

栅电极，

其中与所述多个像素中沿所述多条扫描线或所述多条数据线设置的相邻两个像素的有机发光二极管相连接的所述多个薄膜晶体管的半导体层沿不同的长度方向延伸。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示设备，其中所述多个像素中的每个像素进一步包括：

电容器，被配置为存储所述数据信号之中的数据信号；

所述薄膜晶体管中的驱动晶体管，被配置为向所述有机发光二极管施加与所述数据信号相对应的驱动电流；以及

所述薄膜晶体管中的开关晶体管，被配置为响应于所述多个扫描信号中的一个扫描信号，向所述驱动晶体管的栅极端子施加该数据信号，

其中所述多个像素中沿所述多条扫描线或所述多条数据线设置的相邻两个像素的驱动晶体管的半导体层沿不同的长度方向延伸。