[发明专利]有机发光二极管显示设备及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010506955.6 申请日: 2010-10-11
公开(公告)号: CN102044557A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 李洪鲁;李相祚 申请(专利权)人: 三星移动显示器株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;G09G3/32;H01L21/77
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 罗正云;王琦
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 显示 设备 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明的示例性实施例涉及有机发光二极管(OLED)显示设备及其制造方法。

背景技术

作为平板显示器(FPD)的一个类型,有机发光二极管(OLED)显示设备较之液晶显示器(LCD)可能具备更高的亮度和更广的视角。此外,OLED显示设备无需背光单元,因而可以制作得更薄。

OLED显示设备按驱动方式分类为被动矩阵型或主动矩阵型。主动矩阵型OLED显示设备可包括使用薄膜晶体管(TFT)的电路。此外,尽管可通过使用利用激光束结晶的多晶硅(poly-Si)来获得TFT的半导体层,但是结晶过程中可能会产生诸如条状斑纹之类的缺陷。

发明内容

本发明的非限制性示例实施例提供一种有机发光二极管(OLED)显示设备及其制造方法,其可减少或最小化由诸如激光照射装置的振荡激光束的输出非均匀性之类的因素导致的条状斑纹,并且不会降低设备的制造生产率。

根据本发明的非限制性示例实施例,提供一种有机发光二极管(OLED)显示设备。该OLED显示设备包括:多条扫描线;与所述扫描线交叉的多条数据线;以及位于所述扫描线与所述数据线的交叉区域的多个像素。各个像素包括:OLED、开关晶体管、驱动晶体管和电容器。所述开关晶体管包括:连接到所述扫描线中的一条扫描线的栅电极和连接到所述数据线中的一条数据线的第一电极。所述驱动晶体管连接在所述OLED与电压源供应线之间,且包括半导体层和连接到所述开关晶体管的第二电极的栅电极。所述电容器连接在所述驱动晶体管的栅电极与所述电压源供应线之间。所述多个像素中沿所述扫描线或所述数据线设置的相邻两个像素的驱动晶体管的半导体层沿不同的长度方向延伸。

所述开关晶体管可进一步包括半导体层。所述开关晶体管和所述驱动晶体管各自的半导体层可包括源极区域和漏极区域和沟道区域。所述开关晶体管和所述驱动晶体管各自的栅电极可位于与所述半导体层的沟道区域对应的位置。所述开关晶体管和所述驱动晶体管各自可进一步包括源电极、漏电极和栅极绝缘层。所述源电极和漏电极可分别连接到所述半导体层的源极区域和漏极区域。所述栅极绝缘层可位于所述半导体层与所述栅电极之间。

所述开关晶体管和所述驱动晶体管可具有相同的结构。

所述多个像素中沿所述扫描线或所述数据线的相邻两个像素的驱动晶体管的半导体层可沿不同的长度方向延伸。具有不同的长度方向的相邻像素中的任意相邻两个像素的驱动晶体管的半导体层的长度方向之间的角度差可基本上彼此相同。

所述多个像素中沿所述扫描线或所述数据线设置的基本上任意相邻两个像素的驱动晶体管的半导体层可沿不同的长度方向延伸。

所述开关晶体管的半导体层和所述驱动晶体管的半导体层可利用通过激光束结晶的多晶硅(poly-Si)来形成。

所述开关晶体管的半导体层和所述驱动晶体管的半导体层可具有以平行于所述扫描线或所述数据线的方式形成的晶粒界面。

所述多个像素中沿所述扫描线或所述数据线设置的基本上任意相邻两个像素的驱动晶体管的半导体层可沿不同的长度方向延伸。

根据本发明的另一非限制性示例实施例,提供一种有机发光二极管(OLED)显示设备。该OLED显示设备包括多个像素,位于多条数据线和多条扫描线的交叉区域,数据信号从数据驱动器通过所述多条数据线来传送,扫描信号从扫描驱动器通过所述多条扫描线来传送。各个像素包括由多个薄膜晶体管(TFT)控制的OLED,各个TFT包括:半导体层、栅极绝缘层、源电极和漏电极以及栅电极。与所述多个像素中沿所述扫描线或所述数据线设置的相邻两个像素的OLED相连接的TFT的半导体层沿不同的长度方向延伸。

各个像素可进一步包括电容器、所述TFT中的驱动晶体管和所述TFT中的驱动晶体管。所述电容器可被配置为存储所述数据信号之中的数据信号。所述驱动晶体管可被配置为向所述OLED施加与所述数据信号相对应的驱动电流。所述开关晶体管可被配置为响应于所述扫描信号中的一个扫描信号,向所述驱动晶体管的栅极端子施加所述数据信号。所述多个像素中沿所述扫描线或所述数据线设置的相邻两个像素的驱动晶体管的半导体层可沿不同的长度方向延伸。

与所述多个像素中沿所述扫描线或所述数据线的相邻两个像素的OLED相连接的TFT的半导体层可沿不同的长度方向延伸。与具有不同的长度方向的相邻像素中的任意相邻两个像素的OLED相连接的TFT的半导体层的长度方向之间的角度差可基本上彼此相同。

与所述多个像素中沿所述扫描线或所述数据线设置的基本上任意相邻两个像素的OLED相连接的TFT的半导体层可沿不同的长度方向延伸。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星移动显示器株式会社,未经三星移动显示器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010506955.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top