[发明专利]一种控制磁控溅射功率在NiTiV基体表面沉积TiO2氧化膜的方法

权利要求书

1.一种控制磁控溅射功率在NiTiV基体表面沉积TiO₂氧化膜的方法，其特征在于：采用JGP560CVI型超高真空多功能磁控溅射设备，材料为NiTiV记忆合金，靶材为99.9％的纯钛，靶厚3mm，直径60mm；氧气和氩气纯度为99.99％；镀膜工艺流程为：除油丙酮加无水乙醇超声清洗、酸洗除锈10％稀硫酸溶液、抽真空、样品反溅清洗、靶材反溅清洗、进行镀膜；磁控溅射的TiO₂薄膜的沉积速率随功率增加而增加，基本上成线性关系；如果功率过小，薄膜沉积速率小，薄膜厚度较薄，与基体结合力差；若功率过大，薄膜的晶粒易出现烧结现象，薄膜致密性也不好，厚度不均匀；本发明功率选择六个梯度：100W、120W、140W、160W、180W、200W。

2.根据权利要求1所述的一种控制磁控溅射功率在NiTiV基体表面沉积TiO₂氧化膜的方法，从薄膜的致密性来看，功率为160W时制备的薄膜原子形貌最好；从晶粒大小角度来看，功率为160W制备的薄膜最好；从结构上讲，功率为160W时，薄膜的显微组织中一层白亮组织为TiO₂薄膜，薄膜厚为5μm；功率为100W-200W薄膜都是晶态结构。