[发明专利]相变存储器底部电极的制作方法无效
| 申请号： | 201010509346.6 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102447058A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 底部 电极 制作方法 | ||
1.一种相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介电层，所述第一介电层中形成有导电插塞；
去除部分导电插塞，形成第一凹槽；
至少在所述第一凹槽的内壁形成第一掩模层，构成第二凹槽；
在所述第二凹槽内形成第二掩模层；
以第二掩模层为掩模依次刻蚀第一掩模层以及部分导电插塞形成插塞尖端；
去除所述第一掩模层以及第二掩模层。
2.如权利要求1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底包含有与相变存储器对应的选通管，所述导电插塞的底部连接所述选通管。
3.如权利要求1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述导电插塞采用钽、氮化钽或钨。
4.如权利要求1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述第一介电层采用氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
5.如权利要求1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述第一掩模层的厚度小于第一凹槽槽径的1/2。
6.如权利要求1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述第一掩模层采用氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，但与第一介电层材质相异。
7.如权利要求6所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述第一掩模层采用等离子增强气相沉积、原子层沉积或炉管沉积工艺。
8.如权利要求1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述第二掩模层采用无定形碳。
9.如权利要求6所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，去除所述第一掩模层，采用选择性湿法工艺。
10.如权利要求8所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，去除所述第二掩模层，采用氧气低温氧化工艺。
11.如权利要求1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，在去除第一掩模层以及第二掩模层后还包括：回填第一介电层，并平坦化所述第一介电层表面，直至露出插塞尖端。
12.如权利要求1所述的相变存储器底部电极的制作方法，其特征在于，所述去除第一掩模层以及第二掩模层包括：回填第一介电层，并平坦化所述第一介电层表面，去除第一掩模层以及第二掩模层，直至露出插塞尖端。
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