[发明专利]失效分析结构、其形成方法及其失效分析方法

权利要求书

1.一种失效分析结构的形成方法，所述失效分析结构用于对半导体产品中的导电插塞进行失效分析，所述导电插塞用于电连接半导体产品中相邻的两层金属层的金属块，其特征在于，包括：

提供基底，并在所述基底上形成第一金属层，所述第一金属层由分立的金属块构成；

在所述第一金属层的金属块上依次形成第一绝缘层及第二金属层，所述第一绝缘层内具有贯穿其厚度的第一导电插塞，所述第二金属层由分立的金属块构成，所述第二金属层金属块通过第一导电插塞与第一金属层金属块依次相连构成串联结构；

在所述第二金属层上形成第二绝缘层及位于所述第二绝缘层内的第二导电插塞，所述第二导电插塞与第二金属层金属块相连；

在所述第二绝缘层上形成测试金属层，所述测试金属层由分立的金属块构成，所述测试金属层金属块通过第二导电插塞与第二金属层金属块一一对应相连。

2.根据权利要求1所述失效分析结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属层与半导体产品中一层金属层通过同一工艺步骤同时形成。

3.根据权利要求1所述失效分析结构的形成方法，其特征在于，所述第二金属层和第一金属层的数量关系为以下之一：所述第一金属层金属块的数量比第二金属层金属块数量少一个；所述第二金属层金属块的数量比第一金属层金属块数量少一个；所述第二金属层金属块的数量等于第一金属层金属块数量。

4.根据权利要求1所述失效分析结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电插塞的尺寸不小于所述第一导电插塞的尺寸。

5.根据权利要求1所述失效分析结构的形成方法，其特征在于，所述测试金属层金属块的面积不大于所述第二金属层金属块面积。

6.根据权利要求1所述失效分析结构的形成方法，其特征在于，还包括在所述测试金属层上形成有介质层。

7.一种失效分析结构，用于对半导体产品中的导电插塞进行失效分析，所述导电插塞用于电连接半导体产品中相邻的两层金属层的金属块，其特征在于，包括：

基底；

依次位于所述基底表面的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层及第二金属层分别由多个分立的金属块构成，通过第一导电插塞依次连接第一金属层金属块和第二金属层金属块形成串联结构，所述失效分析结构中的第一导电插塞与半导体产品中的导电插塞的数量及布局相同；

所述第二金属层上形成有测试金属层，所述测试金属层由多个金属块构成，所述测试金属层的金属块通过第二导电插塞与所述第二金属层的金属块对应一一连接。

8.根据权利要求7所述失效分析结构，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层间形成有第一绝缘层，第一导电插塞位于所述第一绝缘层间，用于电连接第一金属层和第二金属层，所述第二金属层和所述测试金属层间形成有第二绝缘层，第二导电插塞位于所述第二绝缘层间，用于电连接第二金属层和测试金属层。

9.根据权利要求7所述失效分析结构，其特征在于，所述第一金属层金属块与半导体产品中一层金属层金属块的数量与布局相同。

10.根据权利要求7所述失效分析结构，其特征在于，所述第一金属层金属块与半导体产品中一层金属层金属块的数量与布局相同。

11.根据权利要求7失效分析结构，其特征在于，所述第二金属层和第一金属层的数量关系为以下之一：所述第一金属层金属块的数量比第二金属层金属块数量少一个；所述第二金属层金属块的数量比第一金属层金属块数量少一个；所述第二金属层金属块的数量等于第一金属层金属块数量。

12.根据权利要求7所述失效分析结构，其特征在于，所述第二导电插塞的尺寸不小于所述第一导电插塞的尺寸。

13.根据权利要求7所述失效分析结构，其特征在于，所述测试金属层金属块的面积不大于所述第二金属层金属块面积。

14.根据权利要求7所述失效分析结构，其特征在于，所述测试金属层上还形成有介质层。