[发明专利]降低背沟道刻蚀型TFT漏电率的方法

权利要求书

1.一种降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，其特征在于，在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在沟道区保护层上增设一附加保护层，所述附加保护层将TFT沟道区覆盖。

2.根据权利要求1所述的降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，其特征在于，所述附加保护层的图形制作包括涂布、曝光、显影的步骤。

3.根据权利要求1所述的降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，其特征在于，所述附加保护层的图形制作包括涂布、激光照射、显影的步骤。

4.根据权利要求1所述的降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，其特征在于，所述附加保护层的图形制作采用掩模蒸镀或喷墨印刷的方式。

5.根据权利要求1所述的降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，其特征在于，所述附加保护层的制作过程包括：以狭缝涂布的方式在沟道区保护层上涂布光刻胶，而后热烘、曝光，再进行显影，最后进行后烘。

6.根据权利要求5所述的降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶，采用质量百分比为2.38％的TMAH进行显影。

7.根据权利要求5所述的降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，其特征在于，所述光刻胶为负性光刻胶，采用质量百分比为0.4％的TMAH进行显影。

8.根据权利要求1所述的降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，其特征在于，所述附加保护层所用材料为光刻胶。

9.根据权利要求1所述的降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，其特征在于，所述沟道区保护层的材料选自SiNx、SiOx、SiNxOy中的任一种或两种或两种以上的组合。

10.根据权利要求1所述的降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，其特征在于，所述附加保护层至少应该保留到制程中所有种类的金属薄膜制作完成。