[发明专利]降低背沟道刻蚀型TFT漏电率的方法

说明书

技术领域

本发明涉及TFT的制作，尤其涉及一种降低背沟道刻蚀型TFT漏电率的方法。

背景技术

薄膜晶体管TFT(Thin Film Transistor)液晶显示器在现代生活中有着广泛的应用，如手机显示屏、电脑的显示器、MP3、MP4显示屏等等，其中显示画面均匀、高解析度、无窜扰等是高品质TFT-LCD的关键要求，而与此有关的是TFT的电性参数-漏电流(Ioff)，漏电流是薄膜三极管TFT的一个重要电性参数，若其过大，则影响TFT的开关特性，从而导致TFT-LCD出现显示不均、发白、窜扰等显示类缺陷。

针对于传统的背沟道刻蚀型结构的TFT而言，其漏电流相对于沟道保护型结构的要偏高，主要是与沟道保护型相比，其非晶硅的厚度偏厚，另外，在制造过程中，由于背沟道刻蚀型TFT在沟道刻蚀中受到等离子的损伤，以及因暴露在后续制程中导致沟道内有杂质污染，这些均会导致漏电流偏高。若能有效降低背沟道刻蚀型结构TFT漏电流，可以较大幅度的提高TFT-LCD的品质，提高其竞争力。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术存在的缺陷，提供一种降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，能够有效降低背沟道刻蚀型TFT的漏电流。

本发明提供的一种降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在沟道区保护层上增设一附加保护层，所述附加保护层将TFT沟道区覆盖。

其中，所述附加保护层图形制作为涂布、曝光、显影的方式。

其中，所述附加保护层图形制作也可以为涂布、激光照射、显影的方式。

其中，所述附加保护层图形制作还可采用掩模蒸镀或喷墨印刷的方式。

优选地，所述附加保护层的制作过程包括：以狭缝涂布的方式在沟道区保护层上涂布光刻胶，而后热烘、曝光，再用进行显影，最后进行后烘。

优选地，所述光刻胶为正性光刻胶，采用质量百分比为2.38％的TMAH进行显影。

优选地，所述光刻胶为负性光刻胶，采用质量百分比为0.4％的TMAH进行显影。

优选地，所述附加保护层所用材料为光刻胶。

优选地，所述沟道区保护层的材料选自SiNx或SiOx、SiNxOy中的任一种或者两种或两种以上的组合。

优选地，所述附加保护层至少应该保留到制程中所有种类的金属薄膜制作完成。

与现有技术相比，本发明具有如下优点：

本发明提供的降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，由于在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在TFT沟道区保护层上增加一附加保护层，覆盖TFT沟道区域，因此，可以阻挡后续金属类薄膜制作时一些导电粒子注入或扩散进入到TFT沟道上方的沟道区保护层中，避免引起“浮栅”效应，从而有效降低TFT漏电流，能够提高TFT-LCD的品质，避免出现显示不均、发白、窜扰等显示类缺陷。本发明提供的降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，可使TFT-array(TFT阵列)漏电流降低约一个数量级以上。

具体实施方式

本发明的基本构思是，提供一种降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在TFT的沟道区保护层上增加一附加保护层，用以阻挡后续金属类薄膜制作时一些导电粒子注入或扩散进入到TFT沟道上方的沟道区保护层中，避免引起“浮栅”效应，从而有效降低TFT漏电流。

本发明的具体方法如下：

S1、背沟道刻蚀型TFT完成必要制程-沟道区形成并在沟道区覆盖沟道区保护层；

S2、在沟道区保护层上再增设一附加保护层；

其中，附加保护层的材料、图形制作及位置说明如下：

1)附加保护层的材料选用应该至少具备如下条件：

①不会引入新的金属粒子；

②有利于附加保护层图形的制作；

③附加保护层材料应在其图形制作完成和金属成膜之间的制程中不被刻蚀、溶解等；

除了满足上述条件，附加保护层的材料还要根据不同的制作方法选择不同的材料，如采用涂布、曝光、显影的方式或涂布、激光照射、显影的方式时，可选用有机物如光刻胶等材料，如采用掩模蒸镀、喷墨印刷等方法时，可以根据实际情况选择合适的材料。

2)附加保护层图形的制作方法、位置及面积大小：

①附加保护层图形的制作方法；

附加保护层图形的制作方法可以为涂布、曝光、显影；也可以采用涂布、激光照射、显影的方式，或者采用掩模蒸镀、喷墨印刷等方法；

当然，在实际制作中并不限定于以上的制作方法。