[发明专利]硬质涂层、具有该涂层的被覆件及其制备方法

权利要求书

1.一种硬质涂层，该硬质涂层包括一纳米复合层，其特征在于：该纳米复合层包括若干TiN层和若干SiCN层，所述TiN层和SiCN层交替排布。

2.如权利要求1所述的硬质涂层，其特征在于：所述每一TiN层和与其相邻SiCN层的厚度之和为5～15纳米。

3.如权利要求2所述的硬质涂层，其特征在于：该硬质涂层包括200～250层TiN层和200～250层SiCN层，该硬质涂层的总厚度为2～5微米。

4.一种被覆件，包括一硬质基体、形成于该基体上的结合层及形成于该结合层上的硬质涂层，该硬质涂层包括一纳米复合层，其特征在于：该纳米复合层包括若干TiN层和若干SiCN层，所述TiN层和SiCN层交替排布。

5.如权利要求4所述的被覆件，其特征在于：所述每一TiN层和与其相邻SiCN层的厚度之和为5～15纳米。

6.如权利要求5所述的被覆件，其特征在于：该硬质涂层包括200～250层TiN层和200～250层SiCN层，该硬质涂层的总厚度为2～5微米。

7.如权利要求4所述的被覆件，其特征在于：该结合层为一钛金属层。

8.一种具有硬质涂层的被覆盖件的制备方法，包括以下步骤：

将承镀基体放入一多靶磁控溅射设备的转架上，在该多靶磁控溅射设备内安装钛靶和硅靶；

在该多靶磁控溅射设备内溅射清洗钛靶和硅靶，使钛靶和硅靶表层原子溅射出来，以除去杂质；

在基体上溅射一结合层；

在该结合层上溅射一TiN层；

在该TiN层上反应式溅射一SiCN层；

重复上述溅射TiN层和溅射SiCN层的步骤，以在基体上沉积由若干TiN层和若干SiCN层交替形成的纳米复合层。

9.如权利要求8所述的被覆盖件的制备方法，其特征在于：所述溅射清洗钛靶和硅靶的步骤在如下条件下进行：该多靶磁控溅射设备的真空室的真空度为2×10^-3～8.0×10^-3Pa，通入氩气为离子源气体，用挡板将基体与钛靶和硅靶隔开，开启钛靶和硅靶电源，电流分别为60A和45A，调节偏压为-100～-200伏，清洗时间为5～20分钟。

10.如权利要求8所述的被覆盖件的制备方法，其特征在于：所述溅射TiN层的步骤是在如下条件下进行：向该多靶磁控溅射设备的真空室通入流量为20～100sccm氮气，基体偏压为-150～-500伏，开启钛靶电源，电流为40～70安培，转架转速为1～3rpm，溅射时间为2～3分钟。

11.如权利要求10所述的被覆盖件的制备方法，其特征在于：所述溅射SiCN层的步骤是在如下条件下进行：关闭所述钛靶电流，开启硅靶电源，电流为35～60安培，氮气流量为50～150sccm，基体偏压为-150～-500伏，同时向真空室通入流量为50～150sccm的乙炔气体，转架转速为1～3rpm，溅射时间为2～3分钟。

12.如权利要求8所述的被覆盖件的制备方法，其特征在于：该结合层为一钛金属层。