[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010511012.2 申请日: 2008-09-11
公开(公告)号: CN102064142A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 佐藤公敏;奥村美香;山口靖雄;堀川牧夫 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;G01P15/125;G01P1/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;高为
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具备:

具有槽部的衬底;

布线,以在与上述槽部的侧面之间形成凹部的方式,沿着上述槽部设置在上述槽部的底面上;

覆盖膜,由一种材质构成并覆盖上述凹部的内表面;

填充部,由与上述一种材质不同的材质构成,填充被上述覆盖膜覆盖的上述凹部;

设置在上述衬底上并与上述布线电连接的元件;

具有与上述衬底之间分别夹持上述布线及上述填充部的部分并且在上述衬底上包围上述元件的构件;

以在上述衬底上的被上述构件包围的区域上形成腔的方式设置在上述构件上的盖层。

2.如权利要求1的半导体装置,其中,

上述元件及上述构件分别由被掺杂后的多晶硅构成。

3.如权利要求1的半导体装置,其中,

上述元件包括能够相对于上述衬底变位地设置的部分。

4.一种半导体装置,具备:

衬底;

设置在上述衬底上的布线;

图形,由与上述布线相同的材质构成,在上述衬底上与上述布线隔开间隔夹持上述布线;

设置在上述衬底上并与上述图形电隔离、且与上述布线电连接的元件;

具有与上述衬底之间分别夹持上述布线及上述图形的部分并且在上述衬底上包围元件的构件;

以在上述衬底上的被上述构件包围的区域上形成腔的方式设置在上述构件上的盖层。

5.如权利要求4的半导体装置,其中,

上述元件及上述构件分别由被掺杂后的多晶硅构成。

6.如权利要求4的半导体装置,其中,

上述元件包括能够相对于上述衬底变位地设置的部分。

7.如权利要求6的半导体装置,其中,

上述图形的一部分与上述能够变位地设置的部分面对。

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