[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

本申请是下述申请的分案申请：

发明名称：“半导体装置以及半导体装置的制造方法”

申请日：2008年9月11日

申请号：200810213840.0

技术领域

本发明涉及半导体装置，特别涉及形成有腔的半导体装置。

背景技术

在半导体装置之中，存在具有形成在腔内的元件的半导体装置。特别地，存在具有可动部的元件通过设置于被密封的腔内而具有良好特性的情况。例如，根据特开2007-085747号公报，作为半导体装置的静电电容型加速度传感器，在具有气密性的盖层(cap)内部(腔)具有加速度检测部。该腔由衬底、设置在衬底上的接合框架、与接合框架接合的盖层形成。此外，以贯穿接合框架的方式设置有被氧化膜夹持的布线。

在上述加速度传感器的制造过程中，在布线存在的面上形成接合框架。形成有该接合框架的面，在布线的边缘部分具有与布线厚度相对应的凹凸。由此，在形成于该面上的接合框架的上表面也形成有凹凸。该接合框架上表面的凹凸过大时，由于接合框架和盖层的紧密的接合比较困难，因此，存在难以确保腔的气密性这一问题。特别是，如果布线和氧化膜的形成时的重合偏移较大，则接合框架的上表面的凹凸变得更大，该问题变得更加严重。为了将该接合框架上表面的凹凸变得更小，在上述现有方法中，必须将布线变薄。即，上在述现有的方法中，存在确保腔的气密性和降低布线电阻这二者并存比较困难这样的课题。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而进行的，其目的在于提供一种能够使确保腔的气密性和降低布线电阻并存的半导体装置及半导体装置的制造方法。

本发明的一种半导体装置具有衬底、第一及第二布线、元件、构件和盖层。衬底具有槽部。第一布线沿着槽部设置在槽部的底面上，并具有第一膜厚。第二布线设置在衬底上，与第一布线电连接，并具有比第一膜厚厚的第二膜厚。元件设置在衬底上，并与第二布线电连接。构件具有与衬底之间夹持第一布线的部分，在衬底上包围第二布线及元件。盖层以在衬底上的被构件包围的区域上形成腔的方式设置在构件上。

本发明的另一种半导体装置具有衬底、布线、覆盖膜、填充部、元件、构件和盖层。衬底具有槽部。布线以在与槽部的侧面之间形成凹部的方式沿着槽部设置在槽部的底面上。覆盖膜由一种材质构成，覆盖凹部的内表面。填充部由与一种材质不同的材质构成，填充被覆盖膜覆盖的凹部。元件设置在衬底上，与布线电连接。构件具有与衬底之间分别夹持布线及填充部的部分，在衬底上包围元件。盖层以在衬底上的被构件包围的区域上形成腔的方式设置在构件上。

本发明的另一种半导体装置具有衬底、布线、图形、元件、构件和盖层。布线设置在衬底上。图形由与布线相同的材质构成，在衬底上与布线隔开间隔夹持布线。元件设置在衬底上，与图形电隔离，并与布线电连接。构件具有与衬底之间分别夹持布线及图形的部分，在衬底上包围元件。盖层以在衬底上的被构件包围的区域上形成腔的方式设置在构件上。

本发明的半导体装置的制造方法具有以下工序。

形成覆盖衬底的主面的一部分的布线。在衬底上形成绝缘膜，该绝缘膜具有覆盖布线的第一部分和覆盖从布线露出的主面的第二部分。形成覆盖第二部分的至少一部分并且使第一部分的至少一部分露出的第一掩模层。利用各向同性刻蚀，去除从第一掩模层露出的绝缘膜。去除绝缘膜的工序之后，形成设置在衬底上并与布线电连接的元件、和具有与衬底之间分别夹持布线及绝缘膜的部分并在衬底上包围元件的构件。以在衬底上的被构件包围的区域上形成腔的方式在构件上形成盖层。

根据本发明的一种半导体装置，设置具有比第一膜厚厚的第二膜厚的第二布线，因此，与仅设置第一膜厚的布线的情况相比，可以将用于向元件的电连接的布线的电阻变小。此外，在构件和衬底之间设置具有比第二膜厚薄的第一膜厚的第一布线，因此，与仅设置第二膜厚的布线的情况相比，可以抑制构件上表面的凹凸的发生，因此，可以将构件与盖层紧密地接合。因此，确保腔的气密性和降低布线的电阻可以并存。

根据本发明的另一种半导体装置，由于利用填充部填充形成在槽部的侧面和上述布线之间的凹部，因此，即使将布线的膜厚变厚，也可以将由布线的上表面和填充部的上表面构成的面的凹凸变小。因此，能够抑制形成在该表面上的构件的上表面的凹凸的发生，因此，可以将构件和盖层紧密地接合。因此，确保腔的气密性和降低布线的电阻可以并存。

根据本发明的另一种半导体装置，图形由与布线相同的材质构成，因此，可以将布线和图形一起进行构图。因此，可不受重合偏移的影响地利用夹持布线的图形将由布线引起的凹凸变小。