[发明专利]MOSFET形成方法有效
| 申请号： | 201010511963.X | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102446766A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 何永根;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/311;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOSFET形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，所述半导体衬底表面、栅极结构侧壁形成有保护层；
依次采用等离子体刻蚀去除位于栅极结构两侧且位于半导体衬底表面的保护层和位于栅极结构两侧部分半导体衬底，形成开口；
氧化位于开口侧壁和开口底部的半导体衬底，形成氧化层；
去除所述氧化层直至暴露出半导体衬底；
在暴露出的半导体衬底表面，采用应力层填充去除所述氧化层后的开口。
2.如权利要求1所述的MOSFET形成方法，其特征在于，所述氧化工艺为热氧化工艺、轻等离子体氧化工艺或者紫外辅助氧化工艺。
3.如权利要求1所述的MOSFET形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为5埃至100埃。
4.如权利要求1所述的MOSFET形成方法，其特征在于，去除所述氧化层的工艺为湿法去除。
5.如权利要求4所述的MOSFET形成方法，其特征在于，所述湿法去除为采用稀释的HF或者HF蒸汽去除。
6.如权利要求1所述的MOSFET形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为SiGe或者SiC。
7.如权利要求1所述的MOSFET形成方法，其特征在于，当MOSFET为n型MOSFET，应力层的材料为SiC；当MOSFET为p型MOSFET，应力层的材料为SiGe。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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